旺宏5篇論文入選2012 IEDM 篇數居台灣業界之冠

國際電子元件大會IEDM將於12月10日至12日於美國舊金山舉行，今年旺宏電子(2337-TW)今年計有5篇論文入選，篇數再度居台灣業界之冠，其中兩篇更獲得大會評選為焦點論文(Highlight Paper)，旺宏近年來在IEDM發表的論文篇數幾乎皆為台灣之首，顯現公司在記憶體的研發成果已受到國際矚目。

旺宏總經理盧志遠表示，IEDM被視為是微電子元件界的奧林匹克盛會，每年皆吸引全球各地傑出的研究成果於會中發表，旺宏12年來在IEDM發表的論文超過45篇，尤其近年來更經常成為IEDM論文篇數發表最多的台灣企業。今年大會特別推薦的11篇焦點論文中，旺宏就佔了2篇，顯現旺宏在全球先進記憶體領域的競爭實力。

今年旺宏獲選為IEDM焦點論文的兩篇研究成果，其中一篇所提出的MiLC(Minimal Incremental Layer Cost)製程工法，將眾多且複雜的位線(Bit Line)以「階梯式」的架構形成對外的連接點，簡化了數據傳輸管道的安排。此製程最大優點在於大幅降低3D記憶體製造過程中所需使用的光罩數目。

另外一篇則是探討快閃記憶體的自我缺陷修復(Self-Healing)技術。快閃記憶體在經過高壓操作重複的編寫及抹除後，材料缺陷的產生將無可避免，導致產品有一定的使用期限，旺宏因此提出透過適當的電流造成區域性的熱源，藉此熱源修復材料的缺陷，不僅可恢復元件既有的功能，同時還能延長元件的壽命。此篇論文更獲IEEE專業旗艦雜誌IEEE Spectrum於12月以專文報導，更吸引許多國際科技媒體廣泛引用。

IEDM平均每年約有來自全球逾600篇一時之選的論文投稿，最後經極嚴謹的程序再評選出200餘篇於會中發表。今年台灣獲選的論文共計有21篇，旺宏入選的5篇論文，其中3篇專注在3D記憶體的議題，一篇論述快閃記憶體的自我缺陷修復技術，另一篇則是有關相變化記憶體新材料的開發。