ARM採台積電10奈米製程 多核心測試晶片正式問世

IP矽智財授權領導廠商ARM(ARMH-US)今(18)日宣布，第一款採用台積電(2330-TW)10奈米FinFET製程技術的多核心64位元ARM v8-A處理器測試晶片正式問世。

ARM表示，模擬基準測試結果顯示，相較目前多用於多款頂尖高階手機運算晶片的16奈米FinFET+製程技術，此測試晶片展現更佳運算能力與功耗表現。

ARM指出，此款測試晶片已成功獲得驗證，在2015年第4季完成設計定案，為ARM與台積電持續成功合作的重要里程碑，此驗證完備設計方案包含了EDA工具、設計流程及方法，能夠使新客戶採用台積公司最先進的10奈米FinFET製程完成設計定案，此外也可提供SoC設計人員利用基礎IP(標準元件庫、嵌入式記憶體及標準 I/O)開發最具競爭力的 SoC，以達最高效能、最低功耗及最小面積的目標。

ARM 執行副總裁暨產品事業群總經理Pete Hutton表示，高階行動應用 SoC 設計的最高指導原則就是低功耗，台積電的16奈米FFLL+製程與ARM Cortex處理器已奠定低功耗新標準。

台積電研究發展副總經理侯永清表示，透過與ARM合作，台積電在製程技術與IP的生態系統上能快速地進展，並加速客戶的產品開發週期，雙方聯手定義處理器技術，最新努力成果就是結合ARM處理器與台積電10奈米FinFET 技術，為各種高階行動裝置及消費性電子產品的終端使用者帶來嶄新體驗。

此款最新測試晶片是 ARM與台積電長期致力先進製程技術的成果，植基於 2014年10月宣佈的第一次10奈米FinFET 技術合作。