台廠將參與？日美業者攜手研發MRAM技術 18年量產

精實新聞 2013-11-25  記者 蔡承啟 報導

日經新聞24日報導，美國記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)及全球第3大半導體設備商東京威力科創(Tokyo Electron)等20家以上日美半導體相關企業將攜手研發可大幅提高智慧手機等行動裝置效能的次世代記憶體「磁電阻式隨機存取記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)」量產技術，目標為在2016年度確立技術、之後美光並計劃於2018年透過子公司爾必達(Elpida)的廣島工廠進行量產。

報導指出，MRAM為一種低耗電力且寫入速度極快的非揮發性記憶體，且即便切斷電源資料也不會消失；和現行主流記憶體「DRAM」相比，MRAM的記憶容量及寫入速度可大幅提高至10倍，且電子產品的耗電力可縮減至2/3，即在充飽一次電的情況下，可將智慧手機的使用時間自現行的數十小時大幅延長至數百小時。

據報導，參與上述研發企劃的企業還包含全球矽晶圓龍頭信越化學(Shin-Etsu Chemical)、全球微控制器(MCU)龍頭瑞薩電子(Renesas Electronics)和日立(Hitachi)等，而各家企業將派遣研究人員至日本東北大學(由該大學教授遠藤哲郎主導)，並將於明年初(2014年初)正式著手進行研發，且該日美研發團隊也將積極呼籲日本國內外半導體相關企業參與該項研發計畫，以早期確立MRAM的基礎技術。

在MRAM的研發上，南韓三星電子(Samsung Electronics)已著手進行，而東芝(Toshiba)則攜手SK Hynix進行共同研發。

據日經指出，東北大學預估，2020年MRAM全球需求可望達7兆日圓，且隨著記憶體需求持續自DRAM轉移至MRAM，預估包含智慧手機等電子機器、製造設備及材料等相關領域計算，整體MRAM相關經濟效應將達100兆日圓。