Hynix：無錫DRAM廠10月恢復，NAND Flash恐短缺

精實新聞 2013-09-13 記者 郭妍希 報導

20130913_125_0.jpg -->韓國聯合通訊社(Yonhap)、Thomson Reuters報導，全球第二大DRAM大廠SK hynix Inc. 13日宣布，遭祝融侵襲的無錫DRAM廠有望在10月起全面恢復正常運作，而該公司也會增加南韓廠房的DRAM產能來彌補損失的產量。

SK hynix表示，這項產能調整會導致NAND型快閃記憶體(NAND Flash)暫時陷入短缺。

SK Hynix甫於9月8日宣佈，失火的無錫DRAM廠有一部份已在9月7日恢復運作。韓國時報(Korea Times)8日報導，SK Hynix無錫廠目前已有部份恢復運作，該廠主要生產智慧型手機、平板電腦專用的行動DRAM，包括中興通訊(ZTE)、華為(Huawei)等中國大陸智慧機業者都向SK Hynix購買從無錫廠生產的DRAM。多個訊息指出，無錫廠至少需要10天的時間才能恢復正常。

Sanford Bernstein資深分析師Mark C. Newman透過電子郵件表示，一般來說類似的事件會讓DRAM價格上漲數個月，雖然整體影響還在評估中，但該證券認為這個意外恐導致全球供應量在未來1-3個月短缺3-12%。在最好的情況下，無錫廠會在1週內完全恢復，令全球供應量在9月份短少3%。

Thomson Reuters甫於9月6日引述未具名訊息人士指出，SK Hynix的無錫廠很快就能重新啟動，時間可能在2-3週之內、甚至有機會提前恢復，但這都僅是初步估計，到了下週情況應會變得更加明朗。該位不願具名的人士表示，無錫廠受損情況輕微，損失的矽晶圓並不多，因為火勢主要都集中在通風(ventilation)區域，包括無塵室在內的重要生產設施都未受影響。該名人士還說，SK Hynix目前約有2-3週的DRAM庫存。