力晶：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發CN 1132249專利

第七條　第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/04/22

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄ 87,101

4.其他應敘明事項:

本發明之非揮發性半導體記憶裝置用以控制晶片尺寸之增加並防止相鄰

總位元線GBL間電容容量所導致之誤讀,包括:非揮發性之記憶單元陣列,

藉由對串接於所選位元線兩端之選擇閘極電晶體間之每一記憶單元電晶

體設定啟始電壓,用以記錄資料;及控制電路11,經由與複數之位元線共同

連接之總位元線,用以從上述記憶單元電晶體控制讀取位元線及資料,

其中,於上述總位元線中之一位置,利用接地電晶體23來連接總位元線及

既定電源線。上述接地電晶體23鄰接於進行資料讀取之總位元線,且連

接於未進行資料讀取之總位元線,係由上述控制電路11開啟。