力晶：公告本公司取得中華人民共和國國家知識產權局核發CN 1156010專利

第七條　第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:非揮發性半導體記憶裝置用的

分頁緩衝電路及其控制方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:102/04/22

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄ 91,053

4.其他應敘明事項:

分頁緩衝電路14連接非揮發性記憶體陣列10，在既定分頁單位的資料寫入

及讀出記憶單元陣列10時，將資料暫時地儲存，該分頁緩衝電路14中對於

複數條位元線，設有包含1個位元線選擇器14s、含2個拴鎖L1、L2的分頁

緩衝單元電路14u、及拴鎖L3的至少1個拴鎖電路14v－1。位元線選擇器

14s選擇上述複數條位元線(bit line)中的1條，連接至上述分頁緩衝單

元電路14u，拴鎖L1暫時地儲存從被選擇的位元線的記憶單元讀出的資

料，並透過拴鎖L2或L3輸出，另一方面，上述拴鎖L1將透過拴鎖L2或

L3輸入的寫入資料暫時儲存後，輸出至被選擇的位元線的記憶單元進

行寫入。