聯電與Spansion宣布展開40奈米製程研發合作

精實新聞 2013-03-05 記者 王彤勻 報導

聯電(2303)與快閃記憶體解決方案領導廠商Spansion於4日共同宣布，將展開40奈米製程研發合作，整合聯電40奈米LP邏輯製程，以及Spansion eCT(embedded Charge Trap, eCT)嵌入式電荷擷取快閃記憶體技術。而此份非專屬授權的協議，包含了授權聯電採用此技術為Spansion製造產品。

Spansion嵌入式電荷擷取技術是兼具高效能、低功耗、與成本效益的NOR快閃記憶體技術，而此項新技術可與先進邏輯製程相整合，用於系統單晶片產品上。此外，此技術可微縮至40奈米以下，並可與High-k製程結合。採用Spansion eCT技術的產品，將促進工業、汽車與消費性電子等應用所採用的技術，朝向更快速更尖端的研發方向邁進。Spansion的eCT技術，是擴展該公司PSS (Programmable System Solutions)產品技術藍圖的主要推手，其結合快閃記憶體與邏輯電路後，可強化需要大量使用記憶體、處理器與MIPS之應用產品的處理效能。

Spansion總裁暨執行長John Kispert表示，與聯電併肩合作，可進一步拓展Spansion的授權事業規則。而藉由與聯電這樣的業界領導者合作，Spansion可更有效率地擴展PSS的產品技術藍圖與授權業務，而其他公司也將得以受惠於Spansion的電荷擷取技術，藉此跨入新市場同時獲得更高的附加價值。

聯電營運長陳文洋表示，聯電期待與Spansion攜手，整合40奈米製程與Spansion的電荷記憶體技術，利用雙方優勢，共同打造業界頂尖的邏輯平台。此次研發成果將可為不同產品市場的客戶，帶來具成本效益的創新技術解決方案。