混合鍵合

07-22歐亞股

HBM封裝技術轉向！三星、SK海力士同步決定：HBM4暫不導入混合鍵合

過去兩年被視為高頻寬記憶體（HBM）封裝技術重大躍進的混合鍵合（Hybrid Bonding），如今發展步調出現變化。隨著 JEDEC 近期放寬 HBM4 設計規範，原本被認為勢在必行的新技術不再迫切，兩家南韓記憶體大廠三星和 SK 海力士 (SKHY-US) 也相繼決定，HBM4 產品將持續沿用既有封裝架構，而非提前導入混合鍵合。

04-29科技

韓媒：艾司摩爾正研發晶圓對晶圓的混合鍵合設備 韓廠應積極切入

荷蘭光刻機巨擘艾司摩爾 (ASML-US) 正悄悄佈置下一代先進封裝賽道，韓媒《The Elec》周二 (28 日) 報導指出，南韓仁荷大學教授 Joo Seung-hwan 在首爾舉行的先進封裝技術會議上透露，透過分析專利發現，艾司摩爾可能正利用其旗艦光刻平台 Twinscan 的技術積累，研發晶圓對晶圓 (W2W) 混合鍵合設備。

03-09科技

混合鍵合導入恐再延後！業界擬進一步放寬HBM高度限制 專家：恐令晶圓面臨「這風險」

韓媒最新報導指出，高頻寬記憶體 (HBM) 的一大演進趨勢是堆疊層數的增加，在目前的 HBM4 世代主流堆疊層數是 12/16。JEDEC 在制定 HBM4 規範時已放寬一次堆棧高度限制，從 720μm 提升到 775μm。根據《ZDNET Korea》與《ETNEWS》報導，面對下一代堆疊可達 20 層的 HBM，行業正考慮進一步放寬高度限制至 800μm，甚至更多。