研調：去年Q4 DRAM產值增近5%，連五季創高

精實新聞 2014-02-12 記者 萬惠雯 報導

20140212_50_0.jpg -->據研調機構TrendForece旗下DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產出雖受到SK海力士無錫廠大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此去年第四季全球DRAM產值再度攀高至約97.5億美金(見左圖)，季成長近5%，連五季創新高。

TrendForce研究協理吳雅婷表示，就去年第四季合約價格走勢做觀察，由於9月SK海力士受祝融波及而影響當下出貨，DRAM 4GB模組合約均價最高來到34美元價位，較火災發生前上漲約2成，供貨不足下主要PC OEM廠紛紛轉向三星及美光要求緊急供貨，是這波價格上漲受惠最多的廠商。

吳雅婷表示，三星受惠於25奈米製程開始放量，供貨最充足，所以成交價也相對較高，美光次之，SK海力士為避免客戶流失，將合約價格放低，為這波漲價潮當中受惠最小的供應商。2013年DRAM總產值總計達到34.4億美元，年成長約3成。

20140212_50_1.jpg -->從全球DRAM廠自有品牌記憶體市占來觀察，去年第四季三星半導體與SK海力士半導體各約為39%與24%，兩者差距再進一步拉大，韓廠市佔率則下滑至64.2%(見左圖)。三星標準型記憶體比重進一步提升，並持續擴大行動式記憶體對外採購比重；由於三星的25奈米已經順利量產出貨，相較於SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，顯然成本結構領先同業水準。

而在2014年DRAM平均銷售單價可能緩跌的前提下，三星的營業利益料仍舊可以維持20%水位，無疑為DRAM產業獲利最高的廠商。SK海力士受無錫廠大火影響，其市占由去年第三季的28.5%微幅下降至23.8%，預計產能流失的衝擊可望在今年首季全面恢復。

美光與日商爾必達綜合市占為28.7%，正式超越SK海力士成為排名第二，受惠於價格上揚與成本下降兩項因素，營業利益成長幅度表現佳。美光集團2014年目標為逐漸導入爾必達20奈米技術，預計正式量產時程約落在年末，若站在標準型記憶體的角度觀察，新美光集團的產出比例將占總產業的三分之一強，對該市場的影響力將大幅增加。

台系廠部分，南科(2408)也積極轉進30nm製程，其投片量已來到總產能近8成，即使去年第四季停止從華亞科(3474)取得晶圓，在營收上仍有9.5%的季成長。力晶DRAM營收於該季僅有6%的成長，除了力晶已轉型為代工業務為主外，其去年下半年啟動的P3廠DRAM業務，也是屬於代工性質，不受DRAM價格波動影響，亦無法帶動DRAM營收繼續往上攀升。華邦電(2344)則是受到火災轉單效應與傳統旺季需求，該季營收成長約9.7%，今年華邦除了提升投片量至38K/月外，提升46nm製程轉進比重亦是今年的重點，生產成本降低將有助今年第一季的獲利表現。

從市場面來觀察，TrendForce認為無錫廠的復工狀況為牽動未來價格走勢的最主要關鍵；由於每年首季都是需求淡季，加上產出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士無錫廠復工)，TrendForce預估今年DRAM價格將呈現緩跌態勢，而跌幅將隨著旺季來臨而趨緩。