天虹先進製程實驗室開幕 台積電來助陣
鉅亨網記者魏志豪 台北
- 半導體設備廠天虹科技(6937-TW)今(1)日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式,並於會中邀請台積電(2330-TW)(TSM-US)研究發展先進設備暨模組發展副總經理章勳明代表出席,期盼透過此實驗室運作,加速全球下一
半導體設備廠天虹科技(6937-TW)今(1)日舉行「先進製程實驗室」開幕啟用儀式,並於會中邀請台積電(2330-TW)(TSM-US)研究發展先進設備暨模組發展副總經理章勳明代表出席,期盼透過此實驗室運作,加速全球下一世代晶片技術的推進。由於台積電罕見參與本土設備商的先進實驗室,此次也可望為本土設備商注入強心針。

天虹此實驗室將作為前瞻技術的孵化基地,未來將針對三大核心領域進行更進一步的深入研究與協同開發,包括先進製程鍍膜設備(Advanced Thin Film Deposition Equipment)、膜質改善技術以及前驅物篩選與驗證。
天虹執行長易錦良表示,這座先進實驗室的啟用,是公司發展史上的重要里程碑。天虹過去在薄膜領域累積了深厚技術底蘊,這座實驗室證明台灣本土設備業不再只是追隨者,而是有能力成為創新者,共同為全球客戶創造無可取代的科技價值。面向未來,天虹科技將持續加大在台的研發投資,與本地的供應鏈夥伴發揮綜效,逐步實踐尖端設備國產化的願景。
天虹指出,本實驗室的正式啟用,不僅彰顯了長期實踐 ESG (環境、社會、公司治理)永續精神,更實質代表台灣本土設備業者已具備頂尖技術與充足能力,能直接針對全球半導體製程開發提供高品質的技術研發與驗證服務的能力。
此次開幕儀式由天虹創辦人羅偉瑞、董事長黃見駱以及執行長易錦良率領核心研發團隊,並邀請台積電研究發展先進設備暨模組發展副總經理章勳明代表出席。
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