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AI 浪潮持續推升全球高頻寬記憶體 (HBM)、DRAM 與 NAND 需求，南韓記憶體大廠 SK 海力士( SK Hynix ) 宣布大手筆擴大產能布局，董事會已核准總額約 54.3 兆韓元、折合約 382.8 億美元的投資計畫，將在韓國龍仁與清州新建兩座晶圓廠，以因應人工智慧 (AI) 時代持續增加的先進記憶體需求。
SK 海力士表示，董事會已核准向龍仁半導體集群第二座晶圓廠 Y2 投入 35.2 兆韓元，另向清州 M17 工廠投入 19.1 兆韓元，兩項投資合計達 54.3 兆韓元。公司計畫在 2031 年前完成相關投資，並根據客戶需求及市場變化逐步增加生產設備與實際產能。
SK 海力士指出，在 AI 時代，能夠在客戶真正需要產能時及時提供所需產品，本身就是企業的重要競爭力。因此，公司此次並未選擇一次性將所有設備與產能全部投入，而是採取「基礎設施先行、設備按需投入」的方式，在提前建立廠房與相關基礎設施的同時，保留後續依照市場需求調整產能的彈性。
依照目前規畫，兩座新廠的首個潔淨室最快將於 2028 年底至 2029 年陸續投入使用，意味著 SK 海力士正提前為未來數年的 AI 記憶體需求建立生產基地，同時透過分階段投資方式控制資本支出效率。
其中，龍仁 Y2 將成為此次擴產計畫的核心。Y2 是 SK 海力士龍仁半導體集群規畫中的第二座晶圓廠，建築面積約 34.1 萬坪，預計 2027 年 7 月動工，首個潔淨室預計 2029 年 6 月完工並投入使用。
Y2 主要將生產 HBM 及其他下一代 DRAM 產品，鎖定 AI 伺服器與先進運算所需的高階記憶體。隨著生成式 AI、AI 加速器及大型資料中心快速擴張，HBM 已成為 AI 晶片供應鏈的重要零組件，SK 海力士也希望透過提前建立先進 DRAM 產能，鞏固自身在 HBM 市場的競爭優勢。
Y2 的投資內容不僅包括晶圓製造設施，也涵蓋研發綜合中心、員工配套設施及其他輔助建築，形成較完整的半導體生產與研發基地。
與此同時，SK 海力士正在建設中的龍仁一期晶圓廠 Y1 進度也持續推進，首個潔淨室預計於 2027 年 2 月投入使用。公司正同步推動龍仁半導體集群整體建設，以支應未來多年 AI 記憶體需求。
值得注意的是，SK 海力士已大幅加快龍仁半導體集群的建設時間表。公司原先規畫龍仁集群 4 座晶圓廠的整體建設計畫要到 2045 年完成，如今已提前至 2033 年，顯示 AI 帶動的記憶體需求成長速度遠超過原先預期。
目前支撐龍仁 Y2 運營所需的一期電力、供水等基礎設施建設也已接近完成，完工率達 99%，為後續晶圓廠建設與生產設備導入提供基礎。
除龍仁外，SK 海力士也將大筆資金投入清州 M17 工廠。公司計畫投資 19.1 兆韓元，預計 2027 年 2 月開工，首個潔淨室預定於 2028 年 12 月啟用。
清州一直是 SK 海力士重要的 NAND 快閃記憶體生產基地，目前已設有 M11、M12 及 M15 等多座工廠。M17 加入後，將進一步擴大 SK 海力士在 NAND 領域的製造能力，也讓公司能夠利用當地既有的土地、供電、供水及半導體製造配套，加速新廠建設。
SK 海力士表示，M17 將充分利用清州既有的基礎設施與製造體系，並透過不同工廠之間的生產協同，提高整體營運效率。相較於完全從零開始建設新的生產基地，利用成熟的半導體聚落有助於降低建廠時間與相關營運成本。
此次 54.3 兆韓元的投資規模雖然龐大，但 SK 海力士並沒有打算立即將所有潛在產能一次投入市場。公司將先完成廠房、潔淨室以及電力、供水等基礎設施，再按照客戶需求與市場供需變化逐步安裝生產設備。
這種「先建基礎設施、再按需求增加設備」的模式，也反映當前記憶體產業面臨的特殊環境。AI 伺服器需求快速成長，使 HBM 與高階 DRAM 供應持續吃緊，但記憶體產業本身具有高度資本密集特性，如果一次投入大量設備，在市場需求突然反轉時也可能造成龐大的資本支出與產能閒置風險。
因此，SK 海力士選擇先把廠房與基礎設施準備好，再根據客戶訂單與市場變化決定設備投入速度，在確保未來供應能力的同時，也試圖維持資本支出的靈活性。
此次擴產也是 SK 海力士今年 6 月公布中長期投資策略的進一步落實。根據公司規畫，未來將向龍仁半導體集群累計投資約 600 萬億韓元，並向清州生產基地追加約 100 萬億韓元，以支撐 AI 時代全球記憶體需求持續增加。
從產品布局來看，龍仁 Y2 將以 HBM 及下一代 DRAM 為主要方向，清州 M17 則進一步強化 NAND 產能，兩座晶圓廠分別對應 AI 伺服器快速成長所需的高階記憶體，以及資料儲存市場的長期需求。
這項投資也凸顯 HBM 在 SK 海力士未來策略中的核心地位。隨著 AI 加速器需要處理的資料量持續增加，HBM 能夠提供高頻寬、低功耗的記憶體存取能力，已成為 AI 晶片與高效能運算系統不可或缺的關鍵零組件。
SK 海力士目前已是全球 HBM 市場主要供應商之一，AI 晶片需求快速增加也使 HBM 成為記憶體產業成長最重要的驅動力之一。公司透過龍仁 Y2 提前布局下一代 DRAM 與 HBM 產能，目的就在於確保未來能夠跟上 AI 伺服器與高效能運算市場的需求增長。
另一方面，NAND 市場雖然不像 HBM 受到 AI 晶片直接拉動，但 AI 資料中心快速擴張同樣需要大量儲存空間，雲端服務商與企業對高容量儲存設備的需求也持續增加。清州 M17 因此成為 SK 海力士完整記憶體產品布局的重要一環。
整體而言，SK 海力士此次投入 54.3 兆韓元、約 383 億美元的新建廠計畫，並不是單純為了短期增加晶片供應，而是提前建立可以延續至 2030 年代的生產基礎。公司透過龍仁 Y2 鎖定 HBM 與下一代 DRAM，再以清州 M17 擴充 NAND，形成針對 AI 運算與資料儲存需求的雙軌擴產策略。
在 AI 需求持續快速成長的情況下，SK 海力士選擇先行建立廠房與基礎設施，再按照客戶需求逐步增加設備與產能，既可以避免供應不足，也能降低一次性大舉擴產可能帶來的資本支出風險。隨著龍仁與清州新產能在 2028 年至 2029 年陸續啟用，SK 海力士能否透過這波擴產進一步鞏固 HBM 及先進記憶體市場領先地位，將成為 AI 半導體供應鏈未來數年的重要觀察焦點。
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