光通訊不能不知道的事！InP 雷射供不應求，銅纜生命週期可能比市場預期更長？

2026年08月05日（優分析／產業數據中心報導）⸺ AI 資料中心正在從銅走向光，但如果負責發光的 InP 雷射供應跟不上，光互聯的導入速度是否也會被迫放慢？而這是否代表高速銅纜的使用時間，可能比市場原先預期更長？

近期 Lumentum 與 Coherent 兩家光通訊大廠，不約而同指出 InP 雷射供應正成為 AI 光互聯最大的限制因素，也讓市場開始重新思考，AI 光互聯真正的瓶頸到底在哪裡。

現在到底缺什麼？

AI 光通訊大量採用矽光子（Silicon Photonics）技術，但矽本身可以導光、分光、調變光，但是不能自己發光。

真正負責發光的，是 InP（磷化銦）。

即使採用矽光子架構，1.6T 收發器仍需要搭配以 InP 製造的連續波雷射（CW Laser），因此不論客戶採用 EML 或矽光子方案，都需要消耗 InP 產能。

簡單來說說，只要 AI 光互聯持續發展，InP 就幾乎無法被繞開。

那麼，市場現在討論的 InP 短缺，到底缺的是什麼？

很多人第一個想到的是原料不足。

銦確實屬於供應相對受限的材料，而且主要是鋅冶煉的副產品，不能單純因為銦價格上升，就迅速提高產量。

但從 Lumentum 的情況來看，公司已透過長期協議，讓近期基板供應處於相對可控狀態。

所以，目前最大的限制，不是原料取得，而是可供 EML、CW Laser、Pump Laser 等產品使用的有效晶圓產能。

真正的瓶頸在晶圓尺寸

過去，InP 雷射主要應用於電信設備與傳統光纖通訊，市場需求相對穩定。

但 AI 時代來臨後，800G、1.6T 光模組、資料中心互聯（DCI）、光交換（OCS）、未來 CPO 等產品，同時開始大量使用 InP 雷射。

很多人直覺認為，只要增加產能就能解決問題；但 InP 最大的限制，其實在晶圓尺寸。

目前矽半導體幾乎全面採用 12 吋（300 mm）晶圓生產，而 InP 產業過去長期停留在 3 吋、4 吋晶圓，只有少數公司剛開始導入 6 吋。

晶圓尺寸增加，看起來只是直徑變大，但實際上，由於晶圓面積與半徑平方成正比，6 吋晶圓的面積約為 3 吋的四倍，同一片晶圓可以放入更多雷射晶片。

而問題就在於，現在大部分 InP 晶圓廠原本就是建立在 3 吋、4 吋製程，要提升供應能力，不只是增加投片數。設備數量、良率、封裝、測試以及客戶認證，都必須同步提升，才能真正轉化成有效產能。

Coherent 最新的 6 吋產線已開始生產 EML、CW Laser 與光電二極體（Photodiode），三種產品的良率都已高於原本的 3 吋產線。那接下來需要觀察的，是能否在維持高良率的情況下，持續放大量產。

小晶圓走向大晶圓，要花多久？

根據半導體產業發展歷程，3 吋晶圓約於 1972 年成為主流，之後依序發展至 4 吋（1976 年）、6 吋（1983 年）、8 吋（1992 年），最後才在 2002 年進入 12 吋量產時代。

如果矽半導體當年花了 10~20 年，那市場現在期待 InP 在 2~3 年內就完成整個世代轉換，仍需要保持審慎。

不過要先提醒一件事，也不能直接把矽的發展歷程套用到 InP。

因為，矽是整個 IC 產業一起投資；而 InP 是利基市場，資金、人力、設備供應商都少很多。

所以時間只能當作參考，不是預測。

從長期趨勢來看，AI 資料中心仍將持續提高光互聯比例，但如果 InP 雷射供應持續吃緊，影響的則是光互聯發展的速度。

若未來 Coherent 的 6 吋 InP 擴產順利，其他廠商也逐步完成晶圓尺寸升級，這個瓶頸有望自 2027 年開始逐漸緩解；但如果 AI 算力需求持續超預期成長，InP 仍可能成為整個 AI 光互聯供應鏈最關鍵的限制條件。

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