AI狂潮引爆長期供需緊繃新周期！研調機構Citrini：2030年全球DRAM缺口達28.7EB　

最新研究報告指出，全球記憶體市場可能正邁入一個更長期的供需緊張周期。

根據市場研究機構 Citrini Research​最新預測，即便計入長鑫存儲等中國廠商的產能擴張，到 2030 年​，全球 DRAM 市場仍將出現大規模供應缺口，規模預計達 28.7EB，約佔當年總需求的 18%，且此缺口規模已接近今年約 40EB 的全球一年的總產能。

根據 Citrini 的研究員 Zephyr 分享的數據，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求預計達 157.5EB，供應能力僅約 128.8EB，其中普通 DRAM 將是最大瓶頸，預估供應約每年 91EB，需求卻高達 120EB，缺口比例將從目前的 18% 擴大至 25% 左右。

報告強調，即便三星、SK 海力士、美光及中國廠商持續擴產，新增產能仍可能被飛漲的 AI 需求快速吸收。

造成供需失衡的核心在於 AI 基礎設施爆發，因大模型訓練推理、HBM 成為 AI 加速器核心，連帶推升傳統伺服器 DRAM 需求。

Citrini 指出，目前預測甚至未完全計入「物理 AI」的潛在增量。在緊平衡下，DRAM 平均售價 (ASP) 可能長期維持高位，預計落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消費電子記憶體成本將持續承壓。

儘管 AI 模型效率提升 (如量化技術) 恐降低單位開銷，但業界普遍認為，「傑文斯悖論」將生效，即成本降低反而刺激更多應用落地，進一步放大記憶體需求，這意味著過去「擴產—過剩—降價」的記憶體週期規律，恐在 AI 伺服器、高效能計算與新興智能設備驅動下，轉向更長時間的結構性緊缺新常態。