力積電和美光簽合作意向書後 啟動DRAM製程精進計畫因應需求強勁

力積電 (6770-TW) 今 (21) 日宣布，鑒於記憶體景氣快速翻升，繼與美光 (MU-US) 簽訂合作意向書後，公司隨即展開 DRAM 製程精進計畫，以回應下游記憶體 IC 設計客戶發展容量更高、速度更快 DRAM 的強勁需求，爭取缺貨價揚商機。 

力積電新竹 12 吋晶圓廠區記憶體產能每月約 5 萬片，以 2x 奈米製程為主，為客戶提供 DRAM、Flash 代工服務，由於全球 DRAM 市場因 AI 應用爆發而呈現長期供不應求趨勢，該公司近月以來感受到客戶端的強大需求壓力，因此決定啟動提升記憶體製程的新投資計畫。 

力積電表示，為爭取時效，該公司董事會已於日前針對投資新設備提升 DRAM 製程的規畫通過增資案，配合銅鑼廠售予美光、雙方策略合作的合約在第二季簽訂，待力積電今年度股東常會通過後，將根據經營團隊的規劃儘速展開設備採購作業，將該公司 P3 廠現有月產逾 3 萬片的 DRAM 生產線升級。

力積電透露，根據雙方已簽署的意向書，該公司除將長期提供美光 DRAM 後段先進封裝代工服務之外，美光也將協助力積電 P3 廠的 DRAM 製程精進，這項技術提升計畫的快速執行，將能讓力積電的 DRAM 代工製程穩健推進，除將協助國內、外記憶體設計業者發展容量更高、速度更快的高規格產品，同時也將使該公司的 WOW(晶圓堆疊) 的代工服務更具競爭力，滿足大型終端客戶在 AI 應用的需求。