長江存儲在美國控告美光 稱侵犯11項專利
鉅亨網新聞中心 2024-07-20 19:37
中國記憶體大廠長江儲存在美國加州北區對美光提起訴訟,指控美光 (MU-US) 侵犯 11 項專利,涉及 3D NAND 相關技術,長江存儲請求法院勒令美光停止在美國銷售侵權記憶體產品,並支付專利使用費。
據美國科技網站 Tomshardware 報導,長江存儲表示,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)及 232 層(B58R)3D NAND Flash 以及美光的一些 DDR5 SDRAM 產品(Y2BM 系列),侵犯長江存儲在美國提交的 11 項專利或專利申請。
這些專利申請涵蓋 3D NAND 和 DRAM 功能的一般層面。外媒認為,長江存儲的目的,是讓美光的日子更難過。
美國商務部在 2022 年底把長江儲存打入黑名單,導致該公司無法從美國公司獲得先進半導體設備來製造領先的 128 層及以上的 3D NAND Flash 器件。去年長江儲存面臨更大的問題,美國商務部禁止銷售可用於製造超過 128 個 3D NAND 的晶圓廠工具和技術。
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