ARM與聯電合作 推55奈米IP方案 攻物聯網商機

IP授權領導廠商ARM與晶圓代工廠聯電(2303-TW)宣布，結合ARM Artisan實體IP解決方案，聯電推出55奈米超低功耗製程(55ULP)技術方案，將搶攻低耗能物聯網應用市場。

ARM與聯電共同宣布，ARM Artisan實體IP方案，獲聯電55奈米超低功耗製程技術導入，成為物聯網應用方案，ARM新推出的實體IP產品，將有助晶片設計團隊，加速並簡化為物聯網和其他嵌入式系統開發ARM系統單晶片(SoC)。

ARM指出，對許多講求低耗電應用而言，最大化電池使用壽命是設計成功之關鍵，Artisan實體IP平台將強化聯電的ULP技術，最大化電源效率與降低漏電功耗。

聯電矽智財研發暨設計支援處資深處長林世欽表示，物聯網晶片工程師經常被要求以更快速度，設計更省電高度整合解決方案，聯電有物聯網專用55奈米技術平台，全面且完整的IP資源可以滿足物聯網產品永遠連線且超低耗電的要求。

ARM Artisan實體IP元件庫將支援包含0.9v超低電壓，節省44%動態電力與25%漏電功耗，多通到元件庫提供各種臨界電壓選項，創新的厚閘極氧化層元件庫可降低不斷電元件(always ON cells)的漏電值，較一般標準電路低350倍，次世代高密度記憶體編譯器提供多重電力整合模式，在極小化待機漏電功耗時保留存儲狀態。

聯電55ULP實體IP即日起在ARM DesignStart網站供貨。