〈觀察〉迎第三代化合物半導體商機 三五族不缺席

〈觀察〉迎第三代化合物半導體商機,三五族不缺席。(圖:AFP)
〈觀察〉迎第三代化合物半導體商機,三五族不缺席。(圖:AFP)

全球搶攻第三代化合物半導體商機,作為第二代化合物半導體代表的三五族,包含穩懋 (3105-TW)、全新 (2455-TW)、宏捷科 (8086-TW)、IET-KY 英特磊 (4971-TW)、環宇 - KY(4991-TW) 同樣並未缺席,希望藉由在第二代化合物半導體的經驗,持續深化技術,力穩優勢。

觀察第一代半導體以矽 (Si) 為主,應用在運算、儲存、感測上,第二代則以三五族砷化鎵 (GaAs)、磷化銦 (InP) 為代表,主要在資料傳輸上扮演神經運輸的角色,第三代半導體則以氮化鎵 (GaN)、碳化矽 (SiC) 等具備高速、抗高溫高壓的化合物為主,適合應用在高速傳輸、人造衛星、軍工國防等。

三五族在第三代半導體應用上持續鎖定 RF(射頻應用),砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋十年前即開始布局第三代化合物半導體,目前產品以 GaN on SiC 為主,雖然整體營運貢獻仍低,但隨著 5G、衛星通訊應用需求增溫,預期營運貢獻將逐步提升。

宏捷科近年也積極開發氮化鎵產品,去年更引入中美晶 (5483-TW) 參與現增,持股約 22.53%,並加入中美晶集團,將與環球晶 (6488-TW) 等集團企業合作,透過上下游材料供應互補,加速第三代化合物開發進程,雙方也預期最快明年效益就將逐步顯現。

全新則是穩懋、宏捷科上游磊晶廠商,隨著下游廠商擴大第三代半導體布局,可望同步受惠,且全新開發的 GaN on Si / GaN on SiC 磊晶近期也傳出打入國防、基地台等應用中。

環宇 - KY 也已擁有 4 吋 GaN on SiC 高功率 PA 產能,同時具備 6 吋 GaN on SiC 晶圓代工產能,但目前產能規模仍受限轉投資事業在初期擴張階段,因此效益尚未完全浮現。

英特磊則鎖定 MBE 技術發展,對於第三代化合物半導體商機同樣不缺席,日前也取得美國能源部合約,將進一步發展 GaN on Si 產品,鎖定電力應用元件,並預期第四季與法商 Riber 開發的 MBE 新機台正式試產後,開發進度將進一步加速。

展望未來,第三代化合物半導體已是各國重要國家戰略物資之一,台灣也已在第一代、第二代半導體產業中立足,將可望助攻產業供應鏈進一步搶得先機,以迎接 5G、衛星通訊等高頻高速傳輸時代的龐大商機。


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