〈長江存儲恐遭制裁〉美議員要求列實體清單 旺宏可望受惠

美議員要求將長江存儲列實體清單 旺宏可望受惠。(圖:AFP)
美議員要求將長江存儲列實體清單 旺宏可望受惠。(圖:AFP)

美國眾議院議員傳要求美國商務部將長江存儲列入出口管制實體清單,市場認為,長江存儲若遭制裁,擁有 3D NAND 相關產能的旺宏 (2337-TW),營運可望因此受惠。

外媒報導,美國眾議院外交委員會共和黨議員致函美國商務部長 Gina Raimondo,指出其與中國軍方關係密切,其生產的晶片可用於國防、人工智慧與航太領域,要求將長江存儲列入出口管制實體清單。

長江存儲主攻高容量 3D NAND,目前主要生產 64 層與 128 層 3D NAND Flash,月產能約 5 萬片;據研調 TrendForce 數據指出,以位元數計算,長江存儲在全球 NAND Flash 市占,今年將達 3.8%,且傳出其正進行擴產,下半年產能將翻倍,明年市占率可望擴增至 6.7%。

長江存儲原預計最快今年中試產第一批 192 層 3D NAND,若以技術進展來看,優於三星與美光目前致力研發的 176 層,但能否成功仍是未知數。

台廠 NAND Flash 布局方面,旺宏近幾年積極投入研發及資源在 3D NAND,4 月也已將第一代 48 層 3D NAND 送交客戶端認證,預計下半年出貨,96 層 3D NAND 今年也有機會量產,並朝 192 層堆疊技術目標衝刺。


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