吳敏求:旺宏19奈米SLC NAND產品良率極佳

旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)
旺宏董事長吳敏求。(鉅亨網資料照)

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求在致股東報告書中表示,19 奈米 SLC NAND Flash 系列產品良率極佳,新品新應用陸續進入驗證階段;3D NAND 方面,48 層產品已完成開發,將朝 192 層堆疊技術的目標衝刺。

吳敏求指出,近年來,旺宏在 NAND 與 3D 堆疊技術上,提出多篇兼具學術與商業價值的論文及相關專利,並超前部署下世代記憶體產業技術。去年研發費用約佔全年營收 10%,主要投注在前瞻性技術的研發與生產製程的精進,截至去年底,已累計擁有全球 8320 件專利。

關於製程與產品發展,吳敏求指出,NOR Flash 製程朝 45 奈米推進;且 256Mb 以上高密度產品占 NOR Flash 營收比重逐年增加,去年已達 36%;而公司在車用、工業、醫療及航太等高品質應用領域的 NOR Flash 營收占比達 27%,未來可望成為 NOR Flash 產品主要成長動能。

在 NAND Flash 方面,吳敏求指出,19 奈米 SLC NAND Flash 系列產品良率極佳,新產品新應用也陸續進入驗證階段。至於 3D NAND 方面,已完成第一階段 48 層產品開發,量產後將可逐步貢獻營收,將朝 192 層堆疊技術的目標衝刺。

隨著人工智慧 (AI)、5G、物聯網 (IoT) 等新型應用,以及車用電子、工業應用、行動裝置等數位科技之蓬勃發展,記憶體晶片應用領域更為廣泛。

吳敏求表示,旺宏 19 奈米 Serial NAND Flash,率先在應用上提出由主晶片處理 ECC 的創新主張,已成為最佳品質及成本效率典範;19 奈米 SLC NAND 記憶體也取得 NAND 重要成本優勢,全面進入業界領先製程。

此外,由於物聯網 (IoT)、智慧裝置資安防護日趨重要,車用電子系統整合度與複雜度也越來越高,吳敏求指出,旺宏 ArmorFlash 已具備關鍵的安全性元件設計,預期未來,高階安全記憶體必將扮演關鍵的角色。


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