吳敏求：旺宏19奈米SLC NAND產品良率極佳

記憶體廠旺宏 (2337-TW) 董事長吳敏求在致股東報告書中表示，19 奈米 SLC NAND Flash 系列產品良率極佳，新品新應用陸續進入驗證階段；3D NAND 方面，48 層產品已完成開發，將朝 192 層堆疊技術的目標衝刺。

吳敏求指出，近年來，旺宏在 NAND 與 3D 堆疊技術上，提出多篇兼具學術與商業價值的論文及相關專利，並超前部署下世代記憶體產業技術。去年研發費用約佔全年營收 10%，主要投注在前瞻性技術的研發與生產製程的精進，截至去年底，已累計擁有全球 8320 件專利。

關於製程與產品發展，吳敏求指出，NOR Flash 製程朝 45 奈米推進；且 256Mb 以上高密度產品占 NOR Flash 營收比重逐年增加，去年已達 36%；而公司在車用、工業、醫療及航太等高品質應用領域的 NOR Flash 營收占比達 27%，未來可望成為 NOR Flash 產品主要成長動能。

在 NAND Flash 方面，吳敏求指出，19 奈米 SLC NAND Flash 系列產品良率極佳，新產品新應用也陸續進入驗證階段。至於 3D NAND 方面，已完成第一階段 48 層產品開發，量產後將可逐步貢獻營收，將朝 192 層堆疊技術的目標衝刺。

隨著人工智慧 (AI)、5G、物聯網 (IoT) 等新型應用，以及車用電子、工業應用、行動裝置等數位科技之蓬勃發展，記憶體晶片應用領域更為廣泛。

吳敏求表示，旺宏 19 奈米 Serial NAND Flash，率先在應用上提出由主晶片處理 ECC 的創新主張，已成為最佳品質及成本效率典範；19 奈米 SLC NAND 記憶體也取得 NAND 重要成本優勢，全面進入業界領先製程。

此外，由於物聯網 (IoT)、智慧裝置資安防護日趨重要，車用電子系統整合度與複雜度也越來越高，吳敏求指出，旺宏 ArmorFlash 已具備關鍵的安全性元件設計，預期未來，高階安全記憶體必將扮演關鍵的角色。