獲美商供應 SK海力士將推出HBM2E DRAM

據韓媒《Business Korea》報導，南韓科技大廠 SK 海力士 (000660-KR) 已克服了下一代記憶體量產的障礙之一，全球電子設計自動化龍頭美商新思科技 (SNPS-US) 在近期宣布，將向 SK 海力士供應系統單晶片 (SoC) 技術方案，以協助該公司量產高頻寬記憶體 HBM2E。

該 SoC 方案符合基於台積電 7 奈米製程 JEDEC 的 HBM2E SDRAM 標準，並具有 409 GB / 秒的數據率，可以在一秒鐘內處理 110 部全高清電影 (每部電影 3.7 GB)。

SK 海力士的 HBM2E 記憶體晶片可以同時從數千個孔洞向數據發送功率，與目前的技術相比，可以減少 30% 以上的晶片尺寸並減少 50% 以上的功耗。HBM 晶片可以整合到 SoC，與邏輯晶片 (例如 GPU) 相距僅數十微米。因此，相較於在主機板上與 SoC 並行安裝，可以進一步縮短數據傳輸距離，實現更快的數據傳輸。

不過，HBM2E DRAM 價錢是當前的兩到三倍，且尺寸大於 LPDDR4 晶片。因此，市場並不大，僅用於要求超高性能的地方，例如 IDC 或超級電腦等大型數據中心。

但是，隨著 5G 行動通信、人工智慧 (AI)、自動駕駛和物聯網 (IoT) 的出現，對高性能伺服器的需求持續成長，市場前景樂觀。

SK 海力士在 2013 年首次推出 HBM 晶片，三星電子也隨即投入了 HBM 晶片的開發，從而引發了兩家公司的激烈競爭。針對新一代 HBM2E 晶片而言，三星電子於今年初首次開始量產， SK 海力士是於 2019 年 8 月公開，但尚未正式推出。