美光洩密案 起訴跳槽與聯電主管4人

今年初記憶體大廠美商「美光科技公司」，爆發離職員工竊密案，全案經台中地檢署偵查終結，分別將何姓、王姓兩名涉嫌洩密的跳槽主管，以及聯電戎姓主管等四人，依妨害《營業秘密法》等罪嫌起訴，移送台中地方法院進行審理。

（李河錫報導）

台中地檢署表示，前台灣美光公司何姓與王姓兩名高階主管，意圖跳槽到「聯華電子」公司時，涉嫌將美光所製造 DRAM 的技術，洩漏給新東家聯電公司，經美光公司向檢方提告、指控技術機密遭離職員工竊取，經檢方偵辦發現，聯電為了與中國大陸某科技公司合作，陸續向已經被中科「瑞晶公司」併購的美光公司開出高薪挖角，其中何姓、王姓兩名高階主管，涉嫌攜帶為數龐大「晶圓製程」相關機密檔案跳槽，經聯電戎姓協理指示，運用在新研發的 DRAM 設計產品中，全案經台中地檢署偵查終結，依妨害《營業秘密法》等罪責，將何姓、王姓以及戎姓等四名嫌犯一併起訴，移送台中地院審理。

聯電公司則發表聲明表示，對維護營業秘密一向不遺餘力，客觀上已符合現行實務避免侵害他人營業秘密等措施，尊重台中地檢署對此案採取的認定標準，但是否符合現行實務，則有待法院依法進行檢驗和審理。

（翻攝：李河錫）