東芝/WD剉！3D NAND若領先、三星恐擴產點燃價格戰

MoneyDJ 新聞 2016-10-12  記者 陳苓 報導

全球硬碟機大廠 Western Digital(WD)和日廠東芝 (Toshiba) 合作，打算超車三星電子，搶先生產 64 層 3D NAND flash。不過外資警告，要是 WD 和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創 NAND 價格。

巴倫 (Barronˋs)11 日報導，Jefferies & Co. 的 James Kisner 表示，WD 和東芝計畫搶在三星之前，生產 64 層 3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業界握有主導權，將密切關注 WD/Sandisk(WD 去年收購了 Sandisk) 在第四季末的生產情況，決定 64 層 3D NAND 的增產速度。要是三星認為 WD 技術趕上，可能會快速增加 3D NAND 產能。

報告指出，反諷的是，近期內東芝 / Sandisk 64 層技術發展緩慢，對業界較為有利。倘若 WD 迅速增產 64 層 3D NAND，三星也會擴產迎擊，這麼一來，WD 可能會流失企業固態硬碟 (SSD) 市佔，SSD 是 NAND 利潤最高的市場，而且業界的價格壓力也會大增。如今 WD 進退不得，不能放慢速度，以免對手追上，但是發展太快，又可能導致三星強力反擊。

三星是第一家開發出 3D NAND flash 業者，技術遙遙領先，不過據傳日廠東芝 (Toshiba) 砸重金研發後，情勢一夕驟變，東芝即將超車三星，成為首家生產 64 層 3D NAND flash 的廠商。

BusinessKorea 7 月 20 日報導，2013 年三星電子率先製造 3D NAND，東芝直到今天春天才加入生產行列，不過卻以光速追上對手，計畫今年第三季生產全球首見的 64 層 3D NAND flash，比三星快了一季。

64 層 3D NAND flash 極為重要，業界認為 64 層 3D NAND flash 的出現，代表平面 NAND flash 時代畫上句點。3D NAND flash 採垂直堆疊，可提高記憶體容量和速度，表現優於平面 NAND flash。

廠商爭相投資 3D NAND Flash，令人憂心忡忡。據傳三星電子平澤廠 (Pyeongtaek) 將提前投產，SK 海力士 (SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron) 產能也將於明年下半全面開出，屆時 3D NAND 可能會從供不應求、淪為供給過剩。

BusinessKorea 6 日報導，NAND 需求爆發，據悉三星電子決定平澤廠完工時間提前三個月，改在明年三、四月開始生產第四代 64 層 3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城 (Hwaseong) 廠，屆時三星 3D NAND 產能將從當前水準提高兩倍、至 32 萬片。

SK 海力士也準備生產 3D NAND，仁川廠 M14 線無塵室正在裝設儀器，估計第二代 36 層 3D NAND 可在今年第二季出貨、第三季量產。第四季將加碼投資第三代 48 層 3D NAND，估計未來 3D NAND 將佔 SK 海力士產出的一半。

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