爾必達:已與Spansion開發出4G NAND閃存

爾必達表示，已與Spansion 開發出4G NAND閃存，采用電荷擷取技術，擁有更為簡單的信元結構，公司計劃于2011年開始在日本西部工廠批量生產該芯片。

綜合媒體9月2日報道，爾必達內存公司（Elpida Memory Inc.）9月2日表示，該公司與Spansion公司（Spansion Inc.）已開發出一款新閃存芯片，擁有比現有芯片更為簡單的信元結構，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產該芯片。

這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取（charge trap）技術來開發這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結構不同于現有的以傳統浮動柵（floating gate）技術制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術可幫助生產較目前市場上產品體積更小、功能更強大NAND閃存芯片。

爾必達的目標是成為全球第一個大規模生產基于電荷擷取技術NAND閃存芯片的芯片制造商。

諸如爾必達等僅生產DRAM（dynamic random access memory）芯片的半導體制造商正在試圖增加生產閃存芯片的能力，以滿足將閃存和DRAM整合成單一模塊以用于移動電話的強烈需求。這類產品的市場正日益增長，部分原因是智能手機的全球普及。

(王媛媛 編譯)

免責聲明：本文所載資料僅供參考，并不構成投資建議，世華財訊對該資料或使用該資料所導致的結果概不承擔任何責任。若資料與原文有異，概以原文為準。
世華財訊資訊中心：editor@shihua.com.cn 電話：010-58022299轉235