東芝將砸150億日元 開發新世代NAND

《日本經濟新聞》周五報導，東芝(Toshiba Corp.)(6502-JP)今年計畫斥資150億日元來興建一條試驗產線，生產小於25奈米製程的NAND快閃晶片。

報導指出，東芝設定最快在2010年開始量產。這條測試產線，將設立在東芝位於三重縣四日市市的NAND新廠中。

為了跨入新一代製程，東芝得進行技術升級；製造25奈米製程以下的晶片，須具備使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術。

為此，東芝已向荷蘭半導體微影系統大廠ASML訂購設備，預計在今年夏天試產。

目前主流製程為45奈米、32奈米的NAND快閃記憶體，主要應用於手機及數位相機等電子消費產品。東芝與其他半導體業者於今年陸續投入20奈米世代的產能開發，可望於未來兩年內開始量產。