Gartner：矽穿孔(TSV)技術2013年產值達140-170億美元

矽穿孔(TSV)將逐漸成為IC產業未來的重點技術，市場研究公司Gartner首席產業分析師Mark Stromberg今(1)日指出，至2013年以前，TSV產值將可佔半導體裝置市場的5-6%，約達140-170億美元。

日月光(2311-TW)總經理唐和明也認為，未來後段技術發展的趨勢在於「厚度空間的研發」，目前最新的應用就是TSV技術，可縮短電器傳遞的距離，同時堆疊的晶粒數目不受限制。

Stromberg認為，由於晶片縮小而線路更密，矽穿孔(TSV)技術便是因應製程細微化所帶來的繞線延遲問題而逐漸受到重視；並看好未來TSV技術應用在記憶體產業，預估TSV可佔記憶體產值約40-50億美元。

TSV的技術成熟化，也將為半導體設備、材料以及服務三方面產業帶來龐大商機，以設備來看，預計將有120億美元的市值規模，材料則有6.25億美元，服務端有22億美元的產值。

目前切入TSV技術的廠商，IDM廠包括IBM(IBM-US；IBM Corp)、三星(005930-KR)、INTEL(INTC-US；英特爾)，前端晶圓代工廠則有台積電(2330-TW)、聯電(2303-TW)以及Chartered，後端封測則有日月光、矽品(2325-TW)以及Amkor。

唐和明認為，摩爾定律腳步放緩的原因在於成本過高，導致市場趨緩，因此製造商將必須以現有的設備做最大的利用，為因應市場持續對產品「輕、薄、短、小」的要求，封測業近年來已積極發展三度空間的堆疊，並以台北101建築物做為比喻，未來的晶片將如高樓搬堆疊，以節省空間，而TSV技術也能成為下一波主流。