容量高、功耗低、體積更小！恆憶與英特爾開發堆疊式PCM技術

記憶體大廠恆憶 (Numonyx B.V.)與英特爾 (Intel；INTC-US)今(2)日宣布，雙方聯手開發出堆疊式交叉點相變化記憶體(PCM)技術，並首度展示可於單一晶片堆疊多層PCM陣列的64Mb測式晶片。該技術結合現金多種類型記憶體的優點，有助發展容量更高、功耗更低且體積更小的記憶體裝置奠定重要基礎。

這是由恆憶與英特爾長期合作研究的成果，著重於研究多層式或堆疊式PCM單元陣列，雙方已展示PCMS (相變化記憶體及開關)的垂直式整合記憶體單元；PCMS 包含一個 PCM 元件，此元件與全新的堆疊雙向閾值開關(Ovonic Threshold Switch, OTS)堆疊於交叉點陣列 (cross point arrays) 中。

恆憶指出，其堆疊 PCMS 陣列的能力，有助擴充記憶體容量，同時維持 PCM 的效能特性，這對於傳統的記憶體技術而言，是相當不易克服的挑戰，可說是關鍵性的突破。

恆憶資深技術研究員 Greg Atwood表示，這項成果同時顯示未來的 PCM 產品，發展更高容量、可擴充式陣列及類 NAND 使用模式的可能。從手機到資料中心，每一項應用對記憶體的需求都持續增加，而傳統的快閃記憶體技術正面臨某些實體限制和可靠性等問題，這項成果在此刻更顯重要。

英特爾研究員兼記憶體技術開發總監 Al Fazio 表示，英特爾持續開發記憶體技術，以期推動運算平台發展。英特爾對於目前研究的里程碑感到相當振奮，並且預期未來 PCMS 等記憶體技術對於延伸記憶體在運算解決方案中所扮演的角色，以及對於效能及記憶體擴充方面的重要性。

記憶體單元是由儲存元件及選擇器堆疊而成，而多個單元又組成記憶體陣列。恆憶與英特爾的研究人員現已利用薄膜雙終端 OTS 做為選擇器，以符合 PCM 擴充時的實體及用電需求。透過薄膜 PCMS 的相容性，多層的交叉點記憶體陣列目前已成為可能。當整合並嵌入交叉點陣列後，多層式陣列便可結合 CMOS 電路的解碼、偵測及邏輯功能。

更多關於記憶體單元、交叉點陣列、實驗及成果的資訊登載於「A Stackable Cross Point Phase ChangeMemory」這份共同文件中，並將於 2009 年 12 月 9日，在美國馬里蘭州巴爾的摩舉行的 2009 年國際電子裝置會議 (International Electron Devices Meeting) 中發表。此文件由恆憶與英特爾雙方的技術人員共同完成，並將由英特爾資深首席工程師 DerChang Kau 代表發表。