聯電40奈米製程 獲Cypress嵌入式快閃記憶體矽智財授權

聯電(2303-TW)(UMC-US)進攻物聯網、穿戴科技再添利器，今(21)日與嵌入式非揮發性記憶體解決方案廠商Cypress共同宣布，聯電40奈米製程平台已取得Cypress的SONOS嵌入式快閃記憶體矽智財授權。

Cypress的SONOS矽智財具有容易整合的NVM單元，以及可順應未來發展的可微縮性，此技術主要使用於物聯網應用產品、穿戴式電子、微控制器，以及邏輯IC產品。

這是在近3年內，聯電與Cypress第3次的SONOS技術合作。2014年聯電取得Cypress的55奈米SONOS製程授權，2013年則認證通過Cypress的65奈米技術。

Cypress的40奈米SONOS嵌入式NVM製程，與其他嵌入式NVM技術相較，具有不同的優勢。在標準CMOS製程之外，其他嵌入式快閃記憶體技術需要外加至少12層光罩，而SONOS技術則僅需額外加上5層即可。

除此之外，在加入一般CMOS製程時，SONOS不會改變標準元件特性或model，不影響並保留現有矽智財。SONOS具備高良率與高可靠度、10年的資料保存、10萬次的編程/擦除耐久週期，以及避免軟錯誤發生的高抵抗力。

聯電與Cypress已展現出將SONOS微縮到更小製程的豐厚實力，將可進一步促進未來矽智財的開發。

聯電負責特殊技術開發的副總簡山傑表示：「除了具備因應物聯網需求的專門技術與設計平台，聯電也提供物聯網設計套件與矽智財，以加速我們客戶的產品上市時程。」

簡山傑表示，聯電擴展了涵蓋廣泛的eFlash解決方案，在high-volume與high-demand的40奈米製程平台，加入Cypress的SONOS矽智財，提供客戶高效能低功耗的嵌入式記憶體選項，讓客戶的物聯網產品能有流暢並可微縮的製程移轉路徑。

Cypress技術與矽智財事業群副總Sam Geha表示，此40奈米SONOS製程係嵌入於超低功耗製程技術，亦可嵌入於其他40奈米製程技術，對於想開發智慧型，合乎功耗效能產品，進軍物聯網與穿戴式市場的聯電廣泛客戶，都可獲得此40奈米SONOS製程所提供的優勢。

Sam Geha還說，此製程也可賦予微處理器更快的處理速度與更低的功耗。