惠普開發下一代存儲技術取得進展

新浪科技訊 北京時間5月16日晚間消息，惠普的科學家已經在下一代存儲技術，即“記憶電阻”方面取得小的突破。記憶電阻未來將可以取代當前普遍使用的閃存和dram技術。

在發表于《納米技術》雜志的一篇論文中，惠普的科學家報告稱，他們已經了解記憶電阻在加電操作時的基本化學和結構變化。此前，盡管研究人員已經在實驗室中開發出了記憶電阻樣品，但科學家對于記憶電阻工作時的內部結構變化并不是完全清楚。