空中對接





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    三星電子宣布完成全球首個 900 層 V-NAND 快閃記憶體原型開發,透過先進接合技術將兩片 450 層晶圓整合為單一元件,而非單純向上增加堆疊層數。隨著單層垂直堆疊逐漸逼近物理極限,NAND Flash 技術競賽也迎來轉折點,從過去比拚層數的「向上硬擠」,正式邁向多晶圓「空中對接」的新架構時代。