TrendForce
根據集邦諮詢 (TrendForce) 最新研究,自 2023 年起急速成長的 AI 需求正導致從 3 奈米至 2 奈米晶圓、2.5D/3D 封裝陷入嚴重的產能瓶頸,其中 CoWoS 的短缺問題從未停歇,甚至已引發相關生產設備、下游封裝載板及外圍關鍵原物料的全面告急,前端 3 奈米先進製程更因暫時由台積電 (2330-TW)(TSM-US) 獨家供應,產能不僅更加吃緊,更已成為全球科技龍頭競相爭奪的稀缺資源。
科技
研調機構 TrendForce 集邦諮詢周四 (27 日) 在深圳主辦「MTS 2026 儲存產業趨勢研討會」,該機構半導體研究處資深研究副總吳雅婷在會上深入分析 2026 年 DRAM 記憶體產業發展趨勢,為業界提供了重要參考。分析指出,2026 年,DRAM 供應將成長 20%,高頻寬記憶體 (HBM) 在總供應當中佔比為 9.1%。
國際政經
集邦諮詢 (TrendForce) 今(27)日在深圳舉行 MTS 2026 存儲產業趨勢研討會,會上發布「2026 十大科技市場趨勢預測」,並稱全球科技領域正站在新一輪變革的臨界點。首先,在 AI 晶片領域,2026 年競爭將趨於白熱化。北美大型 CSPs 資本支出增加以及各國主權雲興起,使得 AI 資料中心建置需求旺盛,全球 AI Server 出貨量將年增逾 20%。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (16) 日表示,美國政府允許輝達 (NVDA-US) 恢復對中國市場銷售 H20 GPU,政策轉折將帶動當地 AI 與雲端業者的需求回補,預期 H20 將重新成為中國市場高階 AI 晶片主力,帶動 HBM 需求同步增加。
台股新聞
研調機構 TrendForce 今 (7) 日指出,三大 DRAM 原廠將產能轉向高階產品,並陸續宣布 PC、server 用 DDR4 和 Mobile 用 LPDDR4X 進入產品生命週期末期 (EOL),引發市場對舊世代產品積極備貨,加上傳統旺季備貨動能,推升第三季一般型 DRAM(conventional DRAM) 價格季增 10% 至 15%,若加計 HBM,整體 DRAM 漲幅將季增 15% 至 20%。