HBM5

06-09

三星全力搶輝達AI訂單！黃仁勳會晤全永鉉 聚焦HBM4E、HBM5合作

《韓聯社》報導，韓國三星電子 (Samsung Electronics) 共同執行長暨晶片事業主管全永鉉 (Jun Young-hyun) 週一 (8 日) 透露，他已與黃仁勳會面，雙方針對下一代高頻寬記憶體 (HBM) 技術及長期合作計畫進行深入討論，合作範圍涵蓋 HBM4E、HBM5 以及晶圓代工業務。

06-08

不再只拼層數 記憶體三大巨頭打響「HBM散熱戰」

隨著全球人工智慧（AI）算力需求迎來爆發式增長，SK 海力士、三星電子與美光科技 (MU-US) 三大記憶體巨頭的技術博弈，已悄然轉移至「散熱戰場」。隨著輝達 (NVDA-US) 證實三家晶片製造商均已通過認證並投產，可為最新 AI 平台「Vera Rubin」供應最先進的高頻寬記憶體（HBM），意味著 HBM4 的大規模量產已箭在弦上。

05-26歐亞股

強化AI效能！SK海力士發表「iHBM」散熱解決方案 擬用於HBM5等下一代產品

南韓記憶體巨頭 SK 海力士今 (26) 日發佈「iHBM」技術，該技術透過在高頻寬記憶體 (HBM) 封裝內嵌入整合式冷卻零件(ICE)，大幅降低產品運行時的發熱量。ICE 由電氣絕緣、導熱性佳的矽基材料製成之冷卻零件，透過提供額外散熱路徑，協助 HBM 封裝有效排出熱量。

03-19歐亞股

HBM技術路線圖曝光！三星電子：2026年出貨由HBM4主導 HBM5將採2奈米製程

韓媒最新報導指出，三星電子正加速推進下一代高頻寬記憶體布局，在 HBM4 今年正式進入量產的同時，已將目光投向更遠一代產品，打算將 HBM5 基片工藝從 4 奈米提升至 2 奈米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊記憶體。這一戰略部署顯示三星在 AI 記憶體市場的強勢擴張意圖，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有深遠影響。