HBM4E
南韓《每日經濟新聞》今 (10) 日引述政界與業界人士消息報導指出，三星電子與 SK 海力士正對全國各地區投資計畫進行最終審查，最快本月內公布細節，二者打算在西南部與中部擴大設施投資，項目涵蓋封裝產線，亦不排除新建半導體晶圓廠的可能性。另據《韓國經濟日報》(KED) 報導，南韓總統李在明預計 6 月 29 日與各大財閥負責人會面，討論區域投資佈局，相關計畫將在會議上正式對外公布。
隨著人工智慧 (AI) 帶動高頻寬記憶體 (HBM) 需求持續升溫，南韓科技巨擘三星電子 (Samsung Electronics)(005930-KR) 傳出正考慮在南韓西南部光州市興建先進半導體封裝工廠，進一步強化其 AI 晶片供應鏈布局。
《韓聯社》報導，韓國三星電子 (Samsung Electronics) 共同執行長暨晶片事業主管全永鉉 (Jun Young-hyun) 週一 (8 日) 透露，他已與黃仁勳會面，雙方針對下一代高頻寬記憶體 (HBM) 技術及長期合作計畫進行深入討論，合作範圍涵蓋 HBM4E、HBM5 以及晶圓代工業務。
三星電子周五 (29 日) 宣布，已正式開始向全球主要客戶發送業界首批 12 層 HBM4E(第五代高頻寬記憶體擴展版) 樣品。代表三星在 AI 記憶體晶片市場的競爭中取得重要進展，力求縮小與產業龍頭 SK 海力士之間的差距。受此利多消息提振，三星電子股價當日一度大漲 6.5%，報 31.15 萬韓元。
歐亞股
南韓三星電子週五 (29 日) 宣布，已開始向全球主要客戶交付業界首款 12 層堆疊高頻寬記憶體 (HBM4E) 樣品，宣稱為全球首家出貨此類產品的廠商，進一步擴充自家 HBM 產品藍圖，搶攻 AI 伺服器與超大規模資料中心所需的高端記憶體市場。
美股雷達
韓媒《THE ELEC》周一 (25 日) 報導，美光科技(MU-US)第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 產能爬坡進展順利，速度較去年 HBM3 12 層產品提升兩倍，良率同步改善。美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 在摩根大通會議上透露，HBM4 將用於輝達下一代 Rubin AI 運算平台，成為關鍵供應商。
美股雷達
AI 產業對記憶體需求正以超越產業供給能力的速度膨脹，美光科技 (MU-US) 執行長 Sanjay Mehrotra 近日也表示，該產業仍處於「早期階段」，更稱「記憶體已成為客戶的戰略資產」Mehrotr 向《CNBC》表示，隨著推理規模擴大，Token 需求持續攀升，而 Token 生成速度依賴更快、更大容量的記憶體。
歐亞股
根據南韓《商業周刊》報導，三星正考慮在第七代高頻寬記憶體 HBM4E 的基底晶片中導入 2 奈米製程。根據報導，三星近期才剛完成業界首款商用 HBM4 的量產，同時也正著手對 HBM4E 的供電架構進行重新設計，以因應在相同封裝面積內，電源凸點從 13682 個增加到 14457 個所帶來的壓力。
美股雷達
美國矽智財供應商 Rambus (RMBS-US) 今 (11) 日宣布，推出 HBM4E 記憶體控制器 IP，進一步鞏固其在 HBM IP 市場的領導地位，預期透過先進的可靠性功能提供突破性的效能，幫助設計工程師解決下一代 AI 加速器和圖形處理單元 (GPU) 的記憶體頻寬需求。