CAS
大陸政經
中國半導體設備研發出現最新突破,中國科學院 (CAS) 近日成功研發突破性的固態深紫外 (DUV) 雷射,光源波長是 193nm,與目前主流的 DUV 曝光波長一致,能將半導體工藝推進至 3 奈米,並跟艾司摩爾(ASML)、佳能、尼康的方式不一樣。
2025-03-25
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中國半導體設備研發出現最新突破,中國科學院 (CAS) 近日成功研發突破性的固態深紫外 (DUV) 雷射,光源波長是 193nm,與目前主流的 DUV 曝光波長一致,能將半導體工藝推進至 3 奈米,並跟艾司摩爾(ASML)、佳能、尼康的方式不一樣。