高通:核心數非重點,LTE晶片組已推到第4代
鉅亨網新聞中心
精實新聞 2014-02-19 記者 王彤勻 報導
Davidson也意有所指表示,高通的LTE晶片組已經進展到第四代,而高通第四代的LTE單晶片組也已能支援所有載波聚合組合,反觀很多高通的競爭對手卻還在想辦法把第一代的LTE晶片組做好。
他說明,高通的重點從來就不是追求核心數,而以往無論是高通在CPU、GPU的對手,都曾不斷拋出雙核心晶片比單核好、四核晶片又比雙核好的說法,惟事實證明,高通的單核心晶片在功耗與效能上都勝過對手的雙核、高通的雙核也力壓對手的四核。他表示,高通長年投入晶片微架構的研發,且與ARM之間存在許多授權的協議,因此可在功耗與效能間取得好的平衡,惟競爭對手則只能靠不斷拉高核心數,來分擔各種工作。
Davidson指出,高通的第四代LTE晶片組,在數據機晶片Gobi 9x35的部分,會採20奈米製程生產,至於射頻收發器晶片WTR 3925則將採28奈米製程。他也強調,高通未來也絕對會延續分散晶圓代工供應商規則的路子去走,這一方面也是由於高通晶片出貨量相當大,且公司過去6~8年都採這樣的做法。
關於大陸國家發改委召開價格監管與反壟斷工作新聞發布會,並對高通(Qualcomm)進行調查,點名高通涉嫌濫用無線通訊標準。對此Davidson回應,調查內容必須保密,因此高通無法給予評論。
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