DRAM跌太兇！傳三星勒緊褲帶、記憶體投資對半砍

MoneyDJ新聞 2016-03-18 記者 陳苓 報導

業者爭相增產，記憶體又成慘業，情況到底有多嚴重？外資報告稱，三星勒緊褲帶，準備把記憶體的投資金額對半腰斬，撙節情況一如2011年記憶體低潮。

韓國時報(Korea Times)17日報導，RBC Capital Markets分析師Amit Daryanani報告稱，去年三星的DRAM投資為21億美元，預料今年將狠刪51%。近年來PC需求不振，DRAM價格暴跌50%，估計三星今年的DRAM開支，會降至2011、2013年DRAM低潮時期的水準。過去兩年，三星砸下重金，協助DRAM轉進20奈米製程，約有60~70%的DRAM產能改用20奈米製程。

Daryanani預測，三星也會重砍NAND flash記憶體支出。等到3D NAND擴產工程完成後，三星的NAND支出會從61億美元、降至28億美元。三星從2015年年中開始在中國西安擴建產線，估計2015年底西安廠的3D NAND產能為9萬~10萬組，其中3萬組為48層、6~7萬組為32層。

報告表示，三星應會繼續投資，不過10奈米產能應要到2017年才會大幅開出。RBC認為，業者轉進3D NAND會拉低均價，部分廠商恐陷困境，未來價格可能會暴跌。估計今年三星半導體部門(包括邏輯晶片和記憶體)投資總額為90億美元，低於去年的130.8億美元 。

日經新聞11日報導，爾必達末代社長(土反)本幸雄將攜手台灣、中國之力，在安徽省合肥打造大規模記憶體廠，力抗三星等廠商。(土反)本幸雄設立的半導體設計公司「Sino King Technology」 已和合肥市政府簽約，預定2018年下半量產，以12吋晶圓換算的月產能達10萬片，將成為中國最大規模的DRAM廠。

DRAM低潮還沒完，野村(Nomura)認為記憶體陷入完美風暴，業者拼命增產搶奪市佔，DRAM均價可能會續跌30%，美光(Micron)將受重創。(完美風暴意指一連串事情發生，導致災難性後果)

巴倫(Barronˋs)網站7日報導，野村的Romit Shah報告稱，他們與台韓的三星電子、SK海力士(SK Hynix)、美光等供應商會面，發現記憶體落入完美風暴，終端市場需求疲軟，包括PC、行動裝置、伺服器。但是美光、SK海力士、三星無意降低產能，持續增產。野村估計今年DRAM均價至少將重挫30%，跌幅大幅於市場預估的14~19%。要是DRAM均價暴跌30%，營業利潤率將減至1~3%，低於外界估計的7%；每股盈餘也會降至0.25美元，低於市場估計的0.46美元。

Businesskorea先前報導，三星加速重整旗下子公司，據傳去年裁員2,480人，研發支出也跟著縮水，這同樣是2008年後首見。報導指出，去年底三星研發中心數量裁減至41間，較2014年減少3間。

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