中國記憶體追上來了？長鑫存儲LPDDR6傳打入小米，速度逼近三星、SK海力士

2026年08月26日（優分析／產業數據中心報導）⸺ 中國DRAM大廠長鑫存儲(CXMT)在先進記憶體市場加快追趕。長鑫存儲LPDDR6傳出已獲小米Xiaomi(1810-HK)下一代旗艦處理器「XRING O3」採用，目前進入商用驗證階段。若後續順利量產，代表中國記憶體業者已將競爭從成熟DRAM進一步推向最新一代低功耗記憶體。

LPDDR6主要用於智慧手機、終端AI等需要高頻寬、低功耗的裝置。長鑫存儲LPDDR6最高傳輸速度約12.8Gbps，雖然仍低於三星電子Samsung Electronics(005930-KR)與SK海力士SK Hynix(000660-KR)的14.4Gbps，但值得注意的是，長鑫存儲距離LPDDR5X量產不到1年，就已推進下一代LPDDR6，技術升級速度相當快。

三星與SK海力士同樣計畫在2026年底前量產LPDDR6。對韓國記憶體廠而言，壓力在於競爭戰線正在擴大。三星、SK海力士近年將大量研發與資本支出投入HBM，搶攻AI伺服器市場，但長鑫存儲則快速切入先進低功耗DRAM，開始縮小技術差距。

需求端也提供長鑫存儲切入市場的機會。隨著AI伺服器增加低功耗DRAM使用量，根據產業預估，2027年輝達Nvidia(NVDA-US) AI伺服器採用的低功耗DRAM容量將達60.41億GB，約為2026年的2倍。在全球記憶體供應吃緊之下，如果三星、SK海力士與美光Micron(MU-US)產能有限，中國DRAM廠就可能取得更多訂單機會。

此外，市場也傳出蘋果Apple(AAPL-US)正在測試長鑫存儲DRAM性能。不過，目前來源僅稱業界出現相關測試跡象，尚不足以確認長鑫存儲已進入蘋果正式供應鏈。

不過，中國記憶體廠目前最大的變數可能不是技術，而是設備。

美國國會正推動「MATCH Act」，希望進一步協調盟國對中國實施半導體設備出口限制。如果相關限制進一步擴大，荷蘭艾司摩爾ASML(ASML-US)對中國供應DUV曝光設備，以及既有設備的零組件、維修與保養服務，都可能受到更嚴格限制。

這對長鑫存儲與長江存儲(YMTC)尤其重要。中國業者雖然持續縮小記憶體技術差距，但晶圓廠仍仰賴海外關鍵設備。若既有DUV設備無法正常取得零組件與維修服務，不只新產能擴充受到限制，現有產線的稼動率也可能受到影響。

※ 本文經「優分析」授權轉載，原文出處:原文連結
※ 免責聲明：文中所提的個股、基金、期貨商品內容僅供參考，並非投資建議，投資人應獨立判斷，審慎評估風險。