英特爾推遲10nm晶片工藝 摩爾定律步伐放緩

新浪科技訊 北京時間7月16日上午消息，由於在電腦晶片上封裝更多電路的難度加大，英特爾預計下一代生工藝將推遲6個月甚至更久。

英特爾CEO科再奇(Brian Krzanich)預計，採用下一代製造技術的晶片可能要到2017年下半年才能面市。

英特爾多年以來基本都以每2年更新一次的速度改進生工藝，基本與該公司聯合創始人戈登·摩爾(Gordon Moore)50年前提出的“摩爾定律”保持一致。但要繼續追趕“摩爾定律”的步伐卻越來越困難。

最新的生工藝將採用14納米技術。英特爾上一次升級生工藝時就推遲了6個月，當時的工藝為14納米。

這些晶片大約在2014年第二季度實現量，表明下一代10納米晶片大約會在2016年年中投。但科再奇表示，製造工藝的改進速度正在放慢，因此將該計劃推遲到了2017年下半年。

“最近的技術進步表明，我們的節奏已經從2年逐步向2年半靠攏。”他。

科再奇表示，為了填補這一空白，該公司將在2016年下半年推出一組代號為Kaby Lake的全新14納米晶片。

“我們預計，在既有路線圖之外額外推出的這些品將帶來新的功能，並將提升性能，還幫助我們更加順暢地過渡到10納米技術。”他。(書聿)