〈CES 2025〉群聯推PCIe Gen5 SSD控制晶片 採台積電6奈米 

群聯 (8299-TW) 於 2025 年國際消費電子展 (CES) 中展示全新 PS5028-E28 PCIe Gen5 SSD 控制晶片，採用台積電 (2330-TW)(TSM-US) 6 奈米製程，實現業界領先的 14.5GB/s 讀寫順序速度；同時，群聯高效能的 SSD 控制晶片也已與美光 (MU-US) 最新的 G9 NAND 以及 KIOXIA BiCS8 NAND 完成驗證並已開始量產。 

群聯指出，NAND 控制晶片技術主要解決 NAND 儲存應用中耐用性與容量等關鍵挑戰，並同時滿足電子系統與資料中心對可靠性與效能的高度要求。本次 CES 展出的產品陣容展現公司致力於為各種 NAND 儲存市場，從消費電子到企業級 SSD 儲存，提供高效能解決方案的承諾。

群聯此次也展出 PCIe Gen5 SSD 控制晶片，專為主流市場 (Mainstream Market) 設計，是全球首款 DRAM-less PCIe Gen5 SSD 控制晶片，性能超過 10GB/s。這是一款專為追求高性價比的消費族群所設計的高速儲存解決方案。

群聯近年也積極搶攻企業級 SSD，推出全球容量最高的 PCIe Gen5 企業級 SSD，儲存容量達 122.88TB，讀寫順序速度分別 高達 14,600 MB/s 與 3,200 MB/s，為資料中心應用重新定義 SSD 容量擴展性與效能。

群聯 U21 USB4 SoC 作為全球首款原生 USB4 SoC 單晶片 NAND 控制晶片，U21 不僅提供高達 4GB/s 的讀寫順序速度，更為全球首款獲頒 USB IF LOGO 認證 USB4 NAND 控制晶片，是一款 低功耗、高效能、且外型小巧方便攜帶的行動儲存裝置。

群聯執行長潘健成表示，CES 展一直是全球電子產業的趨勢指標。群聯此次於 CES 展出最尖端的 PCIe 5.0 SSD 技術，從高階遊戲、內容創作、資料中心、AI 運算、到行動儲存市場等，提供最完整的 NAND 儲存方案，並透過群聯引以為傲的客製化服務，公司將持續透過領先的技術能力為全球的生態鏈夥伴打造適合各種 NAND 儲存應用的方案， 與夥伴們共創多贏。

另外，值得注意的是，群聯的全球首款 DRAM-less PCIe Gen5 SSD 控制晶片 E31T 已導入用於 Crucial P510 SSD，這是美光在本次 CES 推出的全新消費級 SSD。Crucial P510 提供高達 11,000 MB/s 的讀取速度與 9,500 MB/s 的寫入速度，為消費市場帶來 PCIe 5.0 性能的平價選擇，而且低功耗，非常適合需要高效能以提升工作流程或遊戲體驗的學生、玩家與創作者。

美光 Commercial Products Group 資深行銷與產品管理總監 Jonathan Weech 表示，很高興能與群聯深化合作，共同推出下一代高效能儲存解決方案。透過結合群聯的先進控制晶片技術與美光的 G9 NAND Flash，雙方共同設計 Crucial P510 SSD， 以滿足現今的科技玩家使用者。P510 出色的能源效率延長筆電的電池續航時間，並提供超高速的讀取與載入速度，為內容創作者與遊戲玩家帶來更佳的效能體驗。