《中國要聞》長鑫存儲據報生產HBM2記憶體,傳美國制裁腳步近

造公司長鑫存儲開始採購製造HBM2記憶體,若消息屬實,比預期時間早約兩年,惟目前尚未確定其良率。據報長鑫存儲已向美國和日本供應商訂購設備,美國公司應材和科林研發都獲得出口許可。

片系列使用的就是HBM2。目前長鑫存儲DRAM記憶體技術仍落後美光、三星和SK海力士,這些技術領先的海外廠商已經開始量產HBM3及HBM3E,準備幾年內推進至HBM4。

　　《彭博》上周表示,美國可能會動用「外國直接產品規則」(FDPR),阻止美國及其他國家的企業向中國出售高帶寬內存(HBM)晶片,還計劃降低先進DRAM晶片適用管制的門檻,劍指長鑫存儲。(ey)