據南韓科技媒體SamMobile報導，半導體製造設備大廠ASML將在未來幾個月內推出生產2奈米晶片的設備，且數值孔徑（NA）光學性能從0.33提高到0.55。據《芯榜+》報導，相較於DUV浸入式曝光系統（193nm），EUV曝光系統使用的極紫外光波長（13.5nm）顯著降低，多圖案DUV步驟可以用單次曝光EUV步驟代替，有助於晶片製造商繼續向7奈米及以下更先進製程工藝推進，進一步提升效率，降低曝光成本。目前EUV曝光機可以支援晶片製造商將晶片工藝推進到3奈米左右，但晶片製造商如果要繼續推進到2奈米，甚至更小的尺寸，就需要更高數值孔徑的High-NA曝光機。相較於目前的0.33數值孔徑的EUV曝光機，High-NAEUV曝光機將數值孔徑提升到0.55，可進一步提升分辨率。根據瑞利公式，NA越大，分辨率越高。用於2奈米晶片的曝光機型號，為High-NA量產型EUV曝光機EXE:5200，將採用不同鏡頭系統，NA更大。ASML發言人曾表示，EXE:5200是ASML下一代高NA系統，具有更高分辨率，可將晶片縮小1.7分之一，同時密度增加至2.9倍。目前ASML官網列出的EUV曝光機僅有兩款——NXE:3600D和NXE:3400C，均使用0.33NA的反射式投影光學器件與13.5nmEUV光源，分別適用於3/5奈米和5/7奈米晶片製造。據SamMobile報導，ASML計劃明年生產10台2奈米晶片製造設備，而英特爾（Intel）(INTC-US)據傳已經預訂其中六台。除了英特爾，台積電(2330-TW)、三星、SK海力士等大廠也都在搶購ASML新一代高數值孔徑High-NAEUV曝光機。ASML最新High-NAEUV曝光機的價格將介於3億至3.5億歐元，目前熱銷的EUV曝光機單價則為1.5億至2億美元。
