台版晶片法8/7將公告 企業明年報稅可申請適用

為鞏固台灣先進製程的領導地位，經濟部預告修正「產創條例第 10 條之 2」(俗稱台版晶片法) 修正草案，在 5 月底預告期滿後，經濟部 7 月中旬已將公文送到財政部，財政部日前已回函，預計 8 月 7 日將正式公告。

行政院長陳建仁日前出席台積電 (2330-TW) 全球研發中心啟用典禮時提及，「產創條例第 10 條之 2」相關細則辦法預計在 8 月上旬前公告實施，經濟部今天證實，已經收到財政部回函，敲定 8 月 7 日公布。

根據經濟部與財政部磋商，拍板產創條例第 10 條之 2 相關辦法，其中企業申請門檻的研發費用達 60 億元、研發密度達 6%、購置用於先進製程的設備支出達 100 億元，且 2023 年有效稅率為 12%，明 (2024) 年報稅即可申請適用。

根據經濟部公告修正草案內容，明訂支出適用範圍、申請程序與期限、審查機制及相關事項，其中適用條件部分，考量公司為持續保有在全球產業鏈中的關鍵地位，保持台灣重要產業的競爭優勢，鼓勵產業加大力道投入較同業更高額設備以及研發支出。

產創條例修正草案適用產業包括半導體、光學及儲能電力等產業，至於相關門檻的訂定，則是考慮業界實況，希望促使接近適用門檻的業者進一步擴大研發投資，適用租稅優惠，並兼顧國內產業發展現況與特性。

經濟部經參考上市櫃公司研發投入及設備投資情形，因此與財政部規劃研發費用達 60 億元、研發密度達 6%、購置用於先進製程之設備支出達 100 億元為申請門檻，鼓勵公司深耕並加碼投資台灣。