調研：明年DRAM價續跌　有賴20奈米製程維持獲利

記者許家禎／台北報導

2015年受到需求面不振、持續供過於求的影響，DRAM價格呈現顯著衰退，尤其以標準型記憶體最為明顯。調研機構今（17）日發布調查顯示，在寡占市場型態下，雖然小幅供過於求且價格持續下滑，各供應商生產仍保持紀律，未有明顯新增產能，因此延續2013年與2014年態勢，今年DRAM各廠仍維持全面獲利。

TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，2016年雖然受惠於來自智慧型手機及伺服器的需求影響，單機搭載容量會有顯著提升，各項終端產品仍難有爆發性的發展。預估2016年整體DRAM需求約為23%，供給位元成長約為25%。市場仍維持小幅供過於求，DRAM單價持續下滑，各家獲利能力將大幅取決於製程轉進所造成的成本下降，以及產品組合的調配。

吳雅婷表示，DRAM屬寡占市場型態，各供應商在產能的擴張上皆有所節制，相較仍處於完全競爭的市場型態的NAND Flash健康許多。2016年的位元產出主要是來自於SK海力士與美光半導體20／21奈米的轉進，晶圓產能上，除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會陸續啟用之外，2016年DRAM總投片量與2015年呈現持平。

隨著市場需求轉變以及20奈米逐漸成熟，DDR4的生產比例越來越高。2015年由於Intel平台支援度的問題，DDR4的導入主要發生在伺服器端，並且已經率先在第4季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預估，個人電腦／筆記型電腦端由新平台Skylake開始採用DDR4，將會在2016年第2季起放量，成為主流解決方案。

智慧型手機受惠於20nm製程產出的LPDDR4普及度越來越高，高階旗艦機種（除Apple以外）以3GB／4GB為標準規格。吳雅婷指出，2016年第2季起就會有單機DRAM搭載容量上達6GB的機種問市，大幅增加行動式記憶體的需求動能。伺服器記憶體亦然，受惠於20nm製程產出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB模組成本降低，促使廠商策略性調降價格以刺激需求，有助於伺服器記憶體生產比重提升。

2016年中國大陸持續發展半導體的策略不變，仍將有許多併購發生，記憶體方面更是大陸發展的重點項目之一。吳雅婷進一步表示，與NAND Flash較為混亂的市場態勢相較，DRAM市場三強鼎立的狀態結構穩固，引進新的競爭者恐怕導致更嚴重的供過於求，因此三強與中國合作可能性低，使得大陸欲進軍DRAM產業的困難度遠高過其他半導體產品類別。

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