價格漲不停 Q3全球DRAM總營收季增15.8%

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，受惠於全球智慧型手機出貨成長，及記憶體搭載量不斷攀升，第 2 季開始 DRAM 原廠逐步降低標準型記憶體的產出，轉向行動式記憶體與伺服器用記憶體，在供應逐漸吃緊下，第 3 季開始標準型記憶體價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別記憶體的價格上揚，第 3 季全球 DRAM 總體營收較上季成長 15.8%。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，第 3 季有蘋果 iPhone 7 與三星 Note7 二大旗艦機備貨潮，雖然 Note 7 後來在第 4 季停產，但第 3 季的備貨仍有助記憶體消化量與價格的上揚，標準型記憶體因此出貨比預期更佳，加 上筆電搭載高容量 8GB 記憶體比重持續增加，讓第 4 季標準型記憶體合約價季漲幅逾 30%。

三大 DRAM 廠營收激增，美光轉虧為盈，三星依然穩坐 DRAM 產業龍頭，營收季成長約 22.4%，成長幅度遠超過市占第二的 SK 海力士，兩大韓廠的市占各為 50.2% 及 24.8%，合計二家韓廠已囊括 DRAM 75% 的市占率，美光集團位居第三，營收季增 12.6%，市占 18.5%。

營業獲利部份，三星仍是 DRAM 產業冠軍，第 3 季營業獲利率維持在 37%，SK 海力士由 18% 上升至 25%，美光轉虧為盈，從 - 0.6% 轉為 2.3%。吳雅婷表示，展望第 4 季，由於 DRAM 價格持續攀升，可以肯定各廠獲利仍將進一步成長。

由技術面觀察，三星已在 20 奈米製程上取得領先，成本為三大 DRAM 廠中最低，新廠 Line 17 的 18 奈米製程也從下半年起開始生產。吳雅婷指出，由於三星目標以獲利為重，對於 18 奈米是否繼續大規模擴產仍在謹慎規 劃中。

第 3 季 SK 海力士的 21 奈米製程產出不如預期，導致產業供給吃緊，目前 SK 海力士仍將著重於 21 奈米的良率提升，並規劃 2017 下半年進入 18 奈米試產階段，持續製程轉進。

美光在華亞科 (3474-TW) 今年 9 月正式 100% 轉進 20 奈米製程下，20 奈米製程正式成為美光的主力製程技術，美光後續也計畫在明、後年陸續導入 18／16 奈米量產。

台廠部分，南亞科 (2408-TW) 受惠於第 3 季標準型記憶體價格持續上漲，加上客戶陸續追加訂單，第 3 季營收較第 2 季成長 16.7%，但隨著新工廠 Fab 3A North 完工，明年上半年將導入 20 奈米製程，屆時成本有望進一 步降低。

力晶 DRAM 營收大幅下滑 31.1%，受到第 2 季價格不好影響，減少第 3 季標準型記憶體的產出，導致營收大幅下滑，隨著第 4 季 DRAM 價格大漲，DRAM 投片又開始恢復先前水準，可預期營收將回復成長。

華邦電 (2344-TW) 第 3 季營收小幅成長 7%，除 46 奈米比重持續提升外，38 奈米製程預估最快第 4 季正式少量投片生產，此外，由於利基型記憶體第 4 季起漲價，將反映在第 4 季的營收表現上。