集邦：DRAM價走跌加持 Q4PC記憶體搭載容量估增4.3%

受到PC廠下修出貨數字與庫存水位增高影響，8月DRAM合約價持續走跌，集邦旗下研究部門DRAMeXchange表示，在價格逐步來到合理範圍下，使PC廠於下半年考慮調高DRAM搭載容量，預計第3季筆記型電腦平均記憶體搭載容量為3GB，第4季將攀升至3.13GB，成長幅度為4.3%。

根據集邦科技最新公佈的價格顯示，8月上旬DRAM合約市場中，DDR3 2GB合約均價從7月下旬的44美元下跌至42美元，跌幅約4.5%，由於DDR2在合約市場比重大減，因此下跌約8.75%，到36.5美元。

集邦科技表示，DRAM顆粒價格價格逐步下滑，但DRAM廠業績與獲利表現卻沒有受到影響，韓系廠商如三星與海力士的毛利率皆維持在40%以上，日商爾必達的毛利率也有35%，台系廠商如力晶上半年也交出獲利破百億元的成績。

集邦科技解釋，除了顆粒價格上揚外，其最主要貢獻還是來自於製程上的轉進，讓顆粒成本可大幅降低，即使第4季產出量目前有供過於求的疑慮，但不至於會低於成本銷售。

集邦科技預估，由於邁入50nm製程後，線徑寬可比過往更縮小，各家不約而同皆以2Gb顆粒為生產主力，下半年將正式成為市場主流顆粒。而在成本上，40nm製程的2Gb顆粒成本約在1.0到1.2美元間，比起50nm製程成本，可降低約20%，跟60nm製程相比，更將近50%的成本價差，只要能快速轉進先進製程，各DRAM廠的營業利益率(OP Margin)仍可維持獲利空間。

集邦科技表示，在金融風暴過後，各DRAM廠在資本支出上更謹慎，不再盲目以擴產方式來擴大經濟規模量並壓低成本，現在各家廠商皆以提昇自有技術、加速製程轉進與快速提昇良率，來降低成本並提昇競爭力，韓系廠商轉進速度最快，如三星的56nm與46nm製程皆已進入量產階段，35nm製程更預定於第4季產出，將占第4季產出5-10%。

而日系廠商爾必達除使用微縮製程讓現有63nm製程的顆粒產出量直逼50nm製程外，也放棄研發50nm製程標準型DRAM，直接跳入45nm製程，且預計第3季導入量產。

而屬於爾必達子公司的瑞晶，目前已有2台浸潤式機台移入，年底合計將有6台浸潤式機台供45nm製程轉進用，預計明年首季末瑞晶將全數轉入45nm製程，成為爾必達生產標準型DRAM的生產重鎮，力晶第4季也有2台浸潤式機台移入，明年合計共有4台浸潤式機台，足以供應力晶標準型DRAM轉進。

而屬美光陣營的南科與華亞科，南科預計於第3季末可將產能擴大至5萬片，明年首季增至6萬片，華亞科也正積極轉換製程當中，預計第4季初可全數轉至50nm製程與少量40nm製程，屆時產能也將回復至13萬片，產出量大幅度的提升將在明年首季湧現。