台積電達成28奈米64Mb SRAM試產良率

8月25日消息，據今日新聞報導，台積電宣佈，達成28奈米64Mb SRAM試產良率，且分別在28奈米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化矽(簡稱28LP)等28奈米全系列制程驗證都完成相同的良率，28LP制程預計2010年第1季底試產，28HP制程第2季底試產，28HPL第3季試產。

台積電研究發展副總經理孫元成表示：“所有三種28奈米系列制程皆已由64Mb SRAM晶片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現我們兩項高介電層/金屬閘制程採用gate-last方法而獲得的製造效益。”

台積電先進技術事業資深副總經理劉德音表示：“這項突破突顯出台積公司28奈米制程的能力與價值。我們不僅有能力延伸傳統慣用的氮氧化矽(Silicon Oxynitride)材料至28奈米世代，也能夠同時推出28奈米的高介電層/金屬閘材料的制程。”

台積電指出，28奈米制程的開發與導入量產計畫，完全符合2008年9月所宣佈的技術藍圖在進行。28LP制程預計2010年第1季底進行試產，接著28HP制程于第2季底試產，28HPL則于第3季試產。

台積電表示，28LP制程具備可快速上市以及低成本的特性，特別適用于手機與各式行動應用。28HP制程則適用于中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、晶片組與可程式化閘陣列(FPGA)、網路、遊戲主機與行動計算等高效能導向之應用。至于28HPL制程則強調低耗電、低漏電與中高效能的特性，可用以支援諸如手機、精巧型隨身易網機、無線通訊與可攜式消費性電子等低漏電導向的應用。