鉅亨網編輯中心．台北．9月4日
符合條款：第二條第51款1.事實發生日:98/09/042.公司名稱:力晶半導體(股)公司3.與公司關係[請輸入本公司或聯屬公司]:本公司4.相互持股比例:不適用5.發生緣由:取得專利6.因應措施:不適用7.其他應敘明事項:(1)專利商標及著作權之內容:導線的製造方法(2)專利商標及著作權之取得日期:98/09/04(3)取得專利商標及著作權之成本:NT＄345,615(4)其他應敘明事項:一種導線的製造方法。此方法係先提供一基底，基底上已形成一層多晶矽層。然後，於多晶矽層上形成一層罩幕層，其具有一開口暴露出多晶矽層。接著，於罩幕層之側壁形成間隙壁。繼而，以具有間隙壁之罩幕層為罩幕，移除部分多晶矽層，以暴露出基底。之後，再於基底上形成填滿開口的絕緣層，絕緣層與罩幕層具有不同蝕刻選擇性。接下來，移除罩幕層，以暴露出多晶矽層。然後，於多晶矽層表面形成一金屬矽化物層。
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