DRAM價大回升 集邦：台廠下半年轉現金流入 積極各謀出路

DRAM產業經歷長達 2年多的景氣下跌，台廠今年初積極布局，力圖從不景氣中走出新方向。集邦科技表示，第 2季景氣逐漸復甦下，預估在今年下半年，台廠在DRAM營運方面皆可產生營運現金淨流入，南科、華亞科(3474-TW)、力晶 (5346-TW)、茂德(5387-TW)和華邦電(2344-TW)各自展開不同布局，積極各謀出路。

集邦科技表示，標準型DRAM合約價在 2007 年初因供過於求開始急跌，全年價格較前一年度下跌達 83%。2008年，DDR2全年均價又較 2007 年再下跌 30%。各家DRAM廠在2008年第 4季由於營運現金部位不斷下降，資本市場募資不易，面臨退出或接受政府紓困的困境。

今年首季，台廠產能稼動率降至 20-50%，第 2季DRAM合約價格DDR2 1Gb也由去年年底最低點0.75美元，上漲至 9月下旬的 1.7美元，價格走勢由幾乎跌破廠商的材料成本，漲至現金成本以上。

隨著價格急速回升，各家台廠也開始調整營運策略，目前，南科 (2408-TW)、華亞科 (3474-TW)在富爸爸台塑(1301-TW)大力支持下，與美光(Micron；MU-US)展開合作，持續在標準型DRAM技術轉進，而力晶(5346-TW)、茂德(5387-TW)、華邦電(2344-TW)也都展開不同的布局規劃。

南科、華亞科在2008年 3月與美光簽訂技術合作備忘錄，並在同年10月受台塑集團協助下，美光正式取得華亞科36.5%股權，取代原奇夢達(Qimonda)於華亞科持股，而在台灣政府表態要協助台灣DRAM廠，及金融風暴下資本支出大減，南科、華亞科暫緩原訂美光技術轉移的時程。

今年 3月中，政府推出 TMC方案，在與美光取得共識後，南科、華亞科、美光在 4月中共同聲明不加入TMC 聯盟。4 月17日南科董事會通過減資新台幣311.78億元、幅度達66.43%，減資後，再透過私募與現金增資2種方式增資，上限80億股，台塑集團全力支援南科增資。

集邦科技指出，目前南科已移入 2台浸潤式微影設備，預計明年首季加速轉進美光50奈米製程，而華亞科也已移入 1台浸潤式微影設備，預計明年陸續移入 3-5台。

集邦科技預估，在轉進美光50奈米製程後，南科、華亞科的DDR2/DDR3 1G生產成本將由奇夢達70奈米的 2.5美元降至 1.5美元或更低，若明年DDR2/DDR3 1G均價維持在 1.5美元以上，南科、華亞科將可擺脫長期虧損而轉為獲利。

在力晶、瑞晶集團方面，力晶在今年 3月出售部分瑞晶持股給技術合作廠商爾必達 (Elpida；6665-JP)，瑞晶正式成為日商爾必達子公司；原本的產能分配協議從今年 3月後暫改為瑞晶產能全數轉給爾必達，力晶旗下產能不再分配給爾必達。

對爾必達而言，原本自瑞晶取得一半產能及力晶 4成產能的顆粒產出，相等於目前所取得瑞晶產能的總產出；對力晶而言，則可全盤規劃掌控旗下的產能，而且不需再以低於市價的價格出貨與爾必達。

今年首季，力晶旗下12吋廠P1、P2、P3總產能13萬片，投片月平均僅達 3萬片，產能稼動率低於 30%，而在價格回升，旺季需求增温下，第 4季投片將達10萬片，產能稼動率接近 80%。

力晶目前最新的策略布局是，預計在2010年P1以代工單為主，P2生產標準型DRAM，技術隨爾必達進度轉進60奈米 Buried Wordline，再進而40奈米，P3則開始量產NAND Flash。

集邦科技指出，力晶於NAND Flash設計,研發,製造已耕耘多年，2006年取得新竹用地P4、P5原計劃生產NAND Flash，目前力晶也以70奈米量產4G MLC，計劃明年上半年量產50奈米 8G MLC，下半年導入40奈米16G MLC。

但集邦科技認為，以NAND Flash生產所需的技術，資金的挑戰更甚於DRAM，力晶是否能順利量產，進而以NAND Flash填滿P3產能，後續值得觀察。

不過，NAND Flash 持續短缺，甚至明年由於三星(Samsung；005930-KR)、東芝(Toshiba；6502-JP)、美光產能可能維持不變或僅小幅度增加，3X奈米製程的轉進限於良率也難以大幅提升，預估NAND Flash明年將持續短缺。

在今年NAND Flash短缺時，三星為滿足系統客戶的需求，對二線客戶供給大減，幾家記憶體卡廠商如金士頓(Kinston)、創見(2451-TW)均面臨供給缺口，因此，據了解，力晶已有NAND Flash記憶卡大廠表示願出資給力晶買進設備及技術研發。

集邦科技表示，若力晶成功量產NAND Flash約 3-4萬片，則明年產能稼動率將達100%；營運方面，不僅在今年第 3季已產生營運淨現金流入，明年更有可能轉虧為盈。

茂德方面，今年 2月在銀行團通過借款及政府的協助下，茂德與海外無擔保可轉換公司債持有者完成協商，並順利以原金額的 20-25%收購在 2月14日到期的110億元海外無擔保可轉換公司債，度過營運危機。

在低現金水位下，茂德現在產能稼動率維持在 20-30%左右，上半年投片產出以消費型DRAM(DDR1)為主，但隨著近期 DDR2 價格急速攀升，第 3季末投片已轉為DDR 與DDR2各半的狀況；預計第 4季，產能稼動率將拉至近40%。

對於未來的產能規劃，集邦科技指出，茂德正積極與潛在客戶洽談，爾必達計劃明年首季開始，在茂德下單2-3萬片的DDR2/DDR3，某DRAM模組大廠也在DRAM短缺下，要求茂德生產近1萬片的DDR2 512M供貨。

9 月成立的TIMC(台灣創新記憶體公司)目前以茂德中科廠為研發生產基地，另外也洽談 2萬片的編碼型快閃記憶體 (NOR Flash)。若明年景氣好轉，茂德順利接獲以上大單，產能稼動率將達 80%以上。

至於華邦電，在今年 7月與國內 9家銀行簽訂 3年期新台幣37億元聯合授信案，資金用途主要為償還今年度到期的長期負債，及充實營運資金，且今年第 2季開始，華邦電已經有現金流入，因此在營運資金方面，目前不虞匱乏。

由於利基型記憶體需求大增，從第 2季開始，華邦產能已處於滿載的狀況。目前規劃逐步減少標準型記憶體的產量，同時增加利基型記憶體、編碼型快閃記記體及行動應用記憶體的產出，並進入繪圖記憶體市場，繪圖記憶體產品(GDDR3)，預計在今年第 4季可量產。

華邦電將採用奇夢達記憶體技術的代工訂單為主，朝向自主開發與代工同時並進。