力晶：公告本公司取得美國專利局核發US 9082469專利

第七條　第8款

1.專利、商標、著作或其他智慧財產權之內容:

半導體記憶裝置及其ID碼及上位位址寫入方法

2.專利、商標、著作或其他智慧財產權之取得日期:104/07/30

3.取得專利、商標、著作或其他智慧財產權之成本:NT＄243,174

4.其他應敘明事項:

快閃記憶體的半導體晶片D1~DN層疊而呈多晶片封裝(MCP)，每個半導體晶片D1~DN

包括用以儲存ID碼與上位位址的快閃記憶體的記憶胞陣列。ID碼於組裝處理前寫入

記憶胞陣列20的熔絲資料區20F。根據本發明，ID碼與上位位址可以被分配且簡單

地寫入多晶片封裝中的每個半導體晶片，而相比於習知技術不增加半導體晶片尺寸。