三星驚呆！？東芝跑第一、64層3D Flash開始試產送樣

MoneyDJ新聞 2016-07-27   記者 蔡承啟 報導

南韓三星電子為全球第一家量產3D架構NAND型快閃記憶體(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業、研發出堆疊64層的3D Flash產品(見附圖)，且開始進行送樣。

東芝27日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊64層的3D Flash製程技術，並自今日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫於7月完工的四日市工廠「新第2廠房」進行生產。

東芝指出，採用上述製程技術的256Gb(32GB)產品預計將在2017年前半開始進行量產，主要用來搶攻數據中心/PC用SSD、以及智慧手機/平板電腦/記憶卡等市場，且今後也計畫推出512Gb(64GB)產品。

東芝表示，和48層產品相比，此次新研發的64層產品每單位面積的記憶容量擴大至1.4倍，且每片晶圓所能生產的記憶容量增加、每bit成本也下滑。

日本科技網站PC Watch報導，美國Western Digital於當地時間26日宣布，已研發出全球首見的64層3D Flash技術，且已透過和東芝共同營運的四日市工廠開始進行試產，之後預計於2017年上半年內整備出可進行正式量產的體制。

MoneyDJ新聞7月20日報導，64層3D NAND flash極為重要，業界認為64層3D NAND flash的出現，代表平面NAND flash時代畫上句點。

根據嘉實XQ全球贏家系統報價，截至台北時間27日13點40分為止，東芝上揚0.74%。

Western Digital 26日飆漲3.21%，收53.74美元、創1月8日以來收盤新高水準。

Thomson Reuters、時事通信社報導，東芝(Toshiba)統籌記憶體事業的副社長成毛康雄7月6日在投資人說明會上表示，將強化3D Flash生產，目標在2017年度將3D產品佔整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。

日經、韓國先驅報(Korea Herald)7月6日報導，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對3-D NAND Flash投資1.5兆日圓(相當於146億美元)。根據雙方協議，東芝、Western Digital會在日本三重縣四日市的現有合資廠房新增晶片製造設備，大多數的資金會用來安裝3-D NAND的製造裝置。

韓聯社7月12日報導，南韓三星電子2016年Q1(2016年1-3月)NAND型快閃記憶體(Flash Memoy)全球銷售額創下歷史新高，Q1三星NAND Flash銷售額較去年同期成長3.1%至26.15億美元，增幅是整體市場(成長1.6%)的近2倍水準，市佔率也從前一季的42.0%上揚至42.6%。

排名第二位東芝(Toshiba)市佔率雖從24.0%大幅揚升至28.0%，不過與三星之間仍有高達14.6個百分點的差距；第三位為美國美光(Mircon)的18.8%、南韓SK Hynix則以10.6%的市佔率位居第4位。

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