夏普優勢不再!?神戶製鋼新技術直接挑戰IGZO
鉅亨網新聞中心
精實新聞 2013-03-26 記者 蔡承啟 報導
日本媒體日刊工業新聞26日報導,日本神戶製鋼所(Kobe Steel)已研發出具有「易於量產」特性的薄膜電晶體(TFT)用氧化物半導體材料,其左右耗電力效能的電子遷移率(electron mobility)達10平方公尺/V.S(伏特.秒),達現行主流的非晶矽TFT的10倍以上,足以媲美夏普已率先進行量產的氧化物半導體「IGZO」。
報導指出,藉由和夏普IGZO的相互競爭,可望加快次世代面板的研發腳步。據報導,夏普領先全球進行量產的IGZO是由「銦、鎵、鋅、氧」構成,惟神戶製鋼所研發的新材料的組成則不明。
日本媒體產經新聞曾於2012年12月8日報導指出,據業界關係人士指出,夏普的IGZO技術恐將於1-2年內「過時」,主因IGZO基礎專利並非由夏普所擁有,而是由科學技術振興機構(JST)所擁有,而JST傾向於廣泛向日本國內外企業進行授權,其中JST已於2011年夏天和三星電子簽訂了IGZO的授權契約。
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